光电检测3分析报告.ppt

CCD是一种电荷耦合器件(Charge Coupled Device) CCD的突出特点：是以电荷作为信号，而不同于其它大多数器件是以电流或者电压为信号。 CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储和传输。 一、DC的成像原理 DC的成像原理 1、拍摄景物时，景物反射的光线通过镜头透射到CCD上。 ? 2、当CCD上的光电材料受到光线的激发释放出电荷，感光元件的电信号便由此产生。 ? 3、CCD控制芯片利用感光元件中的控制信号线路对产生的电流进行控制，由电流传输电路输出，CCD会将一次成像产生的电信号收集起来，统一输出到放大器。 DC的成像原理 4、经过放大和滤波后的电信号被送到A/D，由A/D将电信号（此时为模拟信号）转换为数字信号，数值的大小和电信号的强度即电压的高低成正比。这些数值其实就是图像的数据了。 ? 5、第4步所得到的图像数据输出到数字信号处理器（DSP）。在DSP中，这些图像数据被进行色彩校正、白平衡处理等后期处理，编码为DC所支持的图像格式、分辨率等数据格式，然后被存储为图像文件。 DC的成像原理 ? 6、最后，图像文件就被写入到存储器上（内置或外置存储器）。 目前市面上大部分DC使用的影像传感器是CCD，是一种特殊的半导体材料。是由大量独立的光敏元件组成，这些光敏元件通常是按矩阵排列的，通常以百万像素为单位。 DC规格中的多少百万像素，指的就是CCD的分辨率，也就是指这台DC的CCD上有多少感光组件。光线透过镜头照射到CCD上，并被转换成电荷，每个元件上的电荷量取决于它所受到的光照强度。 当按动快门，CCD将各个元件的信息传送到A/D上，模拟电信号经过A/D处理后变成数字信号，数字信号以一定格式压缩后存入缓存内，此时一张数码照片就诞生了。 二、 CCD的外形与结构 外形： 彩色CCD显微照片（放大7000倍） CCD的结构 MOS 光敏元：构成CCD的基本单元是MOS(金属—氧化物—半导体)结构。 （1）光电转换 （2）电荷存贮 （3）电荷转移 1 光电转换过程 光照射到 MOS 电容上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入 P 型硅衬底，硅中的电子吸收光子能量跃迁至导带，形成电子－－空穴对，且在外电场的作用下，分别向电极两端移动，因此产生光生电荷。 注意： 波长太长的光子由于自身能量小不足以激发电子跃迁；波长太短的光子由于穿透能力弱进不了衬底；所以，对于不同的MOS材料，器件具有不同的光谱响应特性，可以适用于不同的场合。 2、电荷存储 在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。 加正偏压后，空穴被排斥而产生耗尽区，偏压增加，耗尽区向内延伸。 当UG＞ Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。 反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。 电荷的转移（耦合） 第一个电极保持10V，第二个电极上的电压由2V变到10V，因这两个电极靠得很紧(间隔只有几微米)，它们各自的对应势阱将合并在一起。原来在第一个电极下的电荷变为这两个电极下势阱所共有。 若此后第一个电极电压由10V变为2V，第二个电极电压仍为10V，则共有的电荷转移到第二个电极下的势阱中。这样，深势阱及电荷包向右移动了一个位置。 CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地自一个电极转移到相邻电极。对绝大多数CCD，1μm的间隙长度是足够了。 四、电荷的注入＆检测 1、电荷的注入 （1）光注入 当光照射CCD硅片时，在栅极附近的半导体体内产生电子空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。它有可分为正面照射式＆背面照射式。其光注入电荷： 四、CCD的特性参数 1、转移效率＆转移损失率 转移效率：一次转移后，到达下一个势阱中的电荷与原来势阱中的电荷之比。 2、工作频率f （1）下限：为避免由于热产生的少数载流子对注入信号的干扰，注入电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间必须小于少数载流子的平均寿命，对于三相CCD,t 为：t=T/3=1/3f,故，f1/3ζ。 （2）上限：当工作频率升高时，若电荷本身从一个电极转移到另一个电极所需的时间大于驱动脉冲使其转移地时间T/3,那么信号电荷跟不上驱动脉冲的变化，使转移效率大大降低。故t≤T/3，即f ≤1/3t。 2、类型 （1）线型CCD摄像器件 单沟道线型ICCD 双沟道线型ICCD （2）面阵ICCD 帧转移面阵ICCD 隔列转移型面阵ICCD 线转移型面阵ICCD 它们的结