第二章光电探测器2.ppt

PET中的PMT R5900-c8剖面图，它采用细网倍增极、多阳极和金属通道 PET断面图 PET原理图 2）极微弱光信号的探测——光子计数 通过分立光子产生的电脉冲来进行测量 灵敏度高、抗噪能力强、稳定性好、输出便于信息处理 测量光功率达10-14w，光子通量10个/秒，用于生命科学研究，如激光流式细胞仪。 3）射线的探测——闪烁计数 闪烁晶体（接收射线后产生光）+光电倍增管 入射粒子能量——闪烁光强——输出脉冲幅度 用于核医学、石油勘探等 双碱阴极光电倍增管 铊激活的碘化钠（NaI）闪烁体 日本神冈中微子探测器 这个50,000吨的巨型圆柱中微子探测器，座落在日本kamioka mozumi矿山的地下1,000米深处，用来做探测中微子、质子衰变、宇宙射线等等研究。它的“超净化注水墙壁”上安装了大约12,000个超敏感的光电倍增管，这使它看上去带有科幻电影般的恐怖美丽。  什么是中微子？中微子个头小，不带电，可自由穿过地球，几乎不与任何物质发生作用，号称宇宙间的“隐身人”。科学家观测它颇费周折，从预言它的存在到发现它，用了10多年的时间。 使用前应了解器件的特性。真空光电器件的共同特点是灵敏度高、惰性小、供电电压高、采用玻璃外壳、抗震性差。 六、光电倍增管使用要点 光照过强时，光电线性会变差而且容易使光电阴极疲劳（轻度疲劳经一段时间可恢复，重度疲劳不能恢复），缩短寿命。 不宜用强光，容易引起疲劳 额定电压和电流内工作 入射光斑尺寸和管子的有效阴极面尺寸向对应 电场屏蔽和磁屏蔽 测交变光时，负载电阻不宜过大 因为负载电阻和管子的等效电容一起构成电路的时间常数，若负载电阻较大，时间常数就变大，频带将变窄。 工作电流大时会烧毁阴极面，或使倍增级二次电子发射系数下降，增益降低，光电线性变差，缩短寿命。 光电导探测器 ——光敏电阻 2.4.2 光电导探测器（又称光敏电阻） 1.原理：光敏电阻的原理是光敏电阻阻值对光照特别敏感，是一种典型的利用光电导效应制成的光电探测器件。 一、原理与结构 本征型光敏电阻 一般在室温下工作 适用于可见光和近红外辐射探测 非本征型光敏电阻 通常在低温条件下工作 常用于中、远红外波长较长的辐射探测 2. 结构 光敏电阻是在一块光电导体两端加电极，贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其它绝缘材料基板上，两端接有电极引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。电极和光电导体之间呈欧姆接触。 光敏面作成蛇形，电极作成梳状可以保证有较大的受光表面，也可以减小电极之间距离，从而既可减小极间电子渡越时间，也有利于提高灵敏度。 三种结构形式： 绝缘基底 光电导体膜 ⑴ 梳状式 　 玻璃基底上蒸镀梳状金属膜而制成；或在玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽，在槽内填入黄金或石墨等导电物质，在表面再敷上一层光敏材料。 ⑵ 刻线式 　 在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔，将其刻划成栅状槽，然后在槽内填入光敏电阻材料层后制成。 ⑶ 涂膜式 在玻璃基片上直接涂上光敏材料膜后而制成。 光敏电阻在电路中的符号 (3) 伏安特性曲线和负载线的交点即为光敏电阻的工作点。 说明： (1) 光敏电阻为纯电阻，符合欧姆定律，对多数半导体，当电场强度超过 104V/cm (强光时)，不遵守欧姆定律。硫化镉例外，其伏安特性在100多伏就不成线性了。 (2) 光照使光敏电阻发热，使得在额定功耗内工作，其最高使用电压由其耗散功率所决定，而功耗功率又和其面积大小、散热情况有关。 1、优点： 三、光敏电阻的特点 灵敏度高，光电导增益大于1，工作电流大，无极性 之分； 光谱响应范围宽，尤其对红外有较高的灵敏度； 所测光强范围宽，可测强光、弱光。 强光下光电转换线性差； 光电导弛豫时间长； 受温度影响大； 由伏安特性知，设计负载时，应考虑额定功耗； 进行动态设计时，应考虑光敏电阻的前历效应。 2、不足： * 光电导探测器分为单晶型和多晶薄膜型。 薄膜型光电导探测器品种较少，常用的是PbS和PbSe。 单晶型光电导探测器分为本征型和掺杂型； 本征型有InSb和HgCdTe 掺杂型有Ge:Hg 五、几种典型的光电导探测器 8~14μm 1~3.6μm 1.5~5.8μm 1~5μm 2~16μm * 低造价、可见光辐射探测器； 光电导增益比较高(103~104)、响应时间比较长(大约50ms) （2）PbS：近红外辐射探测器 （1）CdS和CdSe 波长响应范围在1~3.4μm，峰值响应波长为2μm 内阻（暗阻）大约为1MΩ、响应时间约200μs * （3）锑化铟InSb （4）碲镉汞HgxCd1-xTe探测器 在77k下，噪声性能大大改善； 峰值响应