第二章 晶体中的点缺陷2.ppt

第二章 晶体中的点缺陷 错位 本征缺陷 空位 点缺陷 填隙 杂质缺陷 填隙 取代 2.1 缺陷的符号 克罗格（krogar）—文克(vink)符号 Aab A：缺陷的名称　 　 a：缺陷的位置　　 b：缺陷的有效电荷 缺陷的名称（A） 空位: V 杂质: 杂质原子符号 错位: 错位原子符号 点缺陷的位置（a） 元素符号表示所在原子的位置、i 表示间隙 缺陷的有效电荷（b） 缺陷中的电荷减去理想晶体中该位置的电荷 × 表示中性 · 表示正电荷 ，表示负电荷 如:NaCl?中含有少量CaCl2 正常： NaNa× Cl?Cl× 空位： VNa， Vcl. 间隙： Nai· Cli， 取代： CaNa· 对共价晶体 如Sic含有少量AlN Nc· AlSi， 对单质晶体 有效电荷相当于杂质原子在晶体中除参与共价键外得到的或失去的电子数目。 如：Ge晶体中含少量As 如Ge晶体中含有少量B 2.2　缺陷的浓度 体积浓度[D]v ： 缺陷D的个数/cm3 格位浓度[D]G ： 缺陷D的数目/1mol固体中所 含分子数（NA） 例：纯Si的ρ=2.34g/cm3 ，M=28 ，如果其中含1ppm 的杂质缺陷As5+，杂质的浓度可以表示为： 　　 [AsSi.]G=1×10-6 2.3 本征缺陷 肖脱基缺陷（Schottky） ： 一个正离子空位和一个负离子空位形成一个肖脱基缺陷。 特征：空位 空位数和正负离子数相等 弗兰克尔缺陷（Frenkel） ： 同种原子的间隙和空位对构成弗兰克尔缺陷。 特征：间隙和空位成对出现（间隙数=空位数） 同种原子 一些晶体中占优势的缺陷 碱金属卤化物 岩盐结构 Schottky 碱土金属氧化物 岩盐结构 Schottky AgBr AgI Agcl 岩盐结构 正离子Frenkel 卤化铯、TlCl CsCl结构 Schottky 碱土金属氟化物 萤石结构 负离子Frenkel 有时通过x射线衍射可以区别空位型还是间隙型 方法： a　知道晶胞参数，求出晶胞体积 b　计算理论密度　ρcal： ρcal(v) ρcal(i) c 比较实验密度　ρexp和 ρcal 2.5 施主与受主 容易释放电子到导带的点缺陷，称为施主点缺陷。 容易释放空穴到价带的点缺陷，称为受主点缺陷。 2.5.1 取代杂质缺陷 a. 价电子多的杂质取代价电子少的组成原子，生成施主杂质缺陷 （n型半导体） 例：Ge:As （晶体中，少量As取代Ge） AsGe× ( AsGe.+e， ) b.价电子少的杂质取代价电子多的组成原子，生成受主杂质缺陷（p型半导体） 例：Ge:B ZnS:Ag 2.5.2 间隙缺陷 a. 阳离子型间隙原子倾向于释放电子形成施主（n型）