材料科学基础晶体缺陷详解.ppt

1.晶体表面的特点 ①相邻原子数比晶体内部少； ②原子偏离正常位置，造成点阵畸变。 ③处于较高的能量状态 ④为了降低表面能，存在吸附与偏聚现象，因此其成分与内部有所不同； 65/77 2.表面能 晶体表面晶格畸变所引起的表面自由能量的增加可用表面能来表征。表面能也可理解为 产生单位面积新表面所作的功： 由于表面是一个原子排列的终止面，另一侧无固体中原子的键合，如同被割断，故表面能可用形成单位新表面所割断的结合键数目来近似表达： 66/77 (0001) (0112) (0113) r(0001) r(0112) r(0113) 3.不同晶面的表面能及晶体的结晶习性 原子密排的表面具有最小的表面能，自由晶体暴露的表面通常是低表面能的原子密排晶面； 如果晶体的外表面与密排面呈一定角度为了保持低能量的表面状态，晶体的外表面大都呈台阶状。 67/77 2.3.2 晶界和亚晶界 位向差 晶界位向角 两者确定后此二维点阵晶界关系就确定了。 对于三维点阵则需要确定5个变量，确定位向需三个角度，确定晶界位向需要两个。 θ ＜2 °亚晶界 θ＜10°小角度晶界 θ＞10°大角度晶界 68/77 1.小角度晶界 ①对称倾斜晶界 69/77 ②不对称倾斜晶界 70/77 ③扭转晶界 71/77 2.大角度晶界结构 1)大角度晶界特征： 大角度晶界上原子排列不规则、结构复杂，但也有一些比较整齐的区域，并随着位相差的增大，坏区的面积将相应增大。晶界上两原子之间的关系分为：①共同原子D；②不属于任何一晶粒的原子A；③压缩区原子B；④扩张区原子C。 72/77 2)大角度晶界的“重合位置点阵模型” 晶粒1的原子位置 晶粒2的原子位置 重合点阵位置上的原子 两个晶粒的位向差 1/5重合位置点阵 晶粒2 晶粒1 73/77 3.晶界能 晶界能是因晶界上原子排列的不规则而产生的；由形成单位面积晶界时，系统自由能的变化来表征。其大小为有晶界时单位面积的能量减去无晶界时该区单位面积的能量。 切变模量 柏氏矢量 柏桑比 位向差 取决于位错中心原子错排能 74/77 3.孪晶界 孪晶是两晶粒沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系。 75/77 4.晶界的特性 ①晶界处点阵畸变大，存在着晶界能； ②在常温下，晶界对位错运动起阻碍作用； ③晶界处原子的扩散速度快； ④在固态相变过程中，新相优先在晶界处形核; ⑤存在成分偏析和内吸附现象，熔点较低； ⑥晶界易受腐蚀，腐蚀速度一般较快。 76/77 2.3.3 相界 相界是指两种不同晶粒之间的晶界，按晶界的结构特点，相界可分为共格、半共格和非共格三种类型。 具有完善共格关系的相界 具有弹性畸变的共格相界 半共格相界 非共格相界 77/77 刃型位错的应力场 圆柱形坐标 直角坐标 刃型位错周围的应力分布 2.位错的应变能 定义：位错周围点阵畸变引起弹性应力场导致晶体能量的增加，这部分能力称为位错的应变能 构成： （1）位错中心的畸变能Ec：占总应变能1/10 ～ 1/15，不能用胡克订立求得，借助点阵模型直接考虑晶体结构和原子间的作用力 （2）位错中心之外的弹性应变能Ee：可利用连续介质弹性模型求取 克服切应力τθr所作的功为： 这里θ=0，积分得： 螺型位错的位错能为： 混合位错的位错能为： 其中： 中: r0与b相近约为: 10-10；实际晶体中由于存在亚结构或位错网络，R=10-6 因此单位长度的总应变能为： E=Ec+Ee；EcE/10，常忽略；Ee ln(R/r0) E ∝b2，b越小越稳定，b大的位错趋向于分解成小位错 Es/Ee=1-ν ≈2/3，螺型位错的弹性应变能仅为刃型的2/3 为错的能量是以单位长度的能量定义的，位错有变直和缩短其长度的趋势。 位错的存在会引起晶体能量的升高，是热力学不稳定缺陷。 3.位错的线张力 位错应变能与位错线的长度成正比，位错线具有力求缩短的倾向，故在位错线上存在使其变直的线张力T。 线张力可定义为使位错增加单位长度所需要的能量： T≈kGb2 其中k约为0.5～1.0 位错的线张力可驱使单一位错变直；也是晶体中位错呈三维网络分布的原因，相交同一点位错需达到线张力平衡状态。 两端固定的位错受到切应力的曲率半径 线张力为：2Tsin(dθ/2) 如外切应力为τ，则单位 长度位错线受到的力为：τb 因此有： τbds=2Tsin(dθ/2) τ=Gb/2r 4 作用在位错上的力 滑移力： 位错线在外切应力τ的作用下滑移ds的距离，设位错线的长度为dl，切应力所做的功为： dw=τdlds·b 位错线在垂直位错线的