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卤氧化铋半导体材料的表面结构调控及其光催化性能研究 摘要 卤氧化铋半导体材料的表面结构调控及其光催化性能研究 徐本燕（物理化学） 摘 要：光催化技术因其在解决能源短缺和环境污染问题方面的潜在应用而受到国 内外的广泛关注。与传统处理方法相比，光催化材料能将有机污染物彻底分解成 CO 和H O，具有成本低、高效、不产生二次污染等优点。为了更为有效地利用太 2 2 阳光，寻求高活性的可见光催化材料是光催化技术进一步走向实用化的必然趋势。 近年来，卤氧化铋 （BiOX ，X=Br 、I ）半导体材料因具有良好的光吸收和光化学稳 定性而成为新型光催化材料的研究热点。本论文旨在通过能带匹配、表面结构调控 手段达到对卤氧化铋的复合改性，构建一类新型的BiOX/半导体异质结光催化材料， 实现其活性增强。同时，进一步讨论电子-空穴对的产生、分离，主要活性物种的类 型等，探讨卤氧化铋的光催化活性增强机制。 主要研究内容及重要结论如下： 1. 采用改进的沉积-沉淀法制备BiOI/BiOBr 异质结催化剂，并利用多种表征手 段，例如XRD 、SEM、HRTEM 、BET 和DRS 对其进行结构分析。选取甲基橙（MO ） 为污染物模型考察了BiOI/BiOBr 的可见光催化活性。结果发现BiOI/BiOBr 表现出 比 BiOI 和 BiOBr 更高的光催化活性。其中，BiOI-BiOBr 异质结的构建在提高 BiOI/BiOBr 的光催化活性方面起到了关键作用。另外，活性物种的检测实验表明•O2− + 和h 是参与BiOI/BiOBr 的光催化降解MO 过程中的主要活性物种。 2. 以BiOBr 为载体，利用化学刻蚀法合成了BiOI/BiOBr 异质结催化剂，研究 BiOI/BiOBr 异质结的不同构建方法对其光催化剂活性的影响。结果表明化学刻蚀法 合成的 BiOI/BiOBr 异质结同样具有良好的光催化活性，表现出了活性增强效应。 相比而言，沉积-沉淀法的操作过程更为简单，构建的BiOI/BiOBr 异质结活性更好， 说明在满足能带匹配的前提下，合适的合成方法是发挥异质结催化剂活性的重要途 径。另外，也说明构建BiOX/BiOY 异质结光催化材料是处理废水中有害有机污 染物的一种有效方法。 3. 以窄带隙半导体硫化铋（Bi S ）作为敏化剂，通过宽带隙 BiOCl 和硫代乙 2 3 酰胺（CH CSNH ）之间的离子交换过程合成了Bi S /BiOCl 异质结催化剂。在BiOCl 3 2 2 3 表面原位负载的Bi S 颗粒由于含量太少没能有效地拓展BiOCl 的光吸收范围，但 2 3 I 卤氧化铋半导体材料的表面结构调控及其光催化性能研究 摘要 是在可见光下复合物Bi S /BiOCl 却能够充分降解罗丹明B （RhB ）染料（98.0%、 2 3 120 min）。Bi S /BiOCl 所具有的良好的光催化活性可归因于：（1）Bi S -BiOCl 异 2 3 2 3 质结界面对光生电子-空穴对的高效分离；（2 ）RhB 对BiOCl 的染料敏化作用。 4. 选取BiOI 为载体与Bi S 构建了Bi S /BiOI 异质结，并以MO 为探针研究 2 3 2 3 了其可见光催化活性。与BiOI 相比，Bi S /BiOI 的光催化活性得到大幅度的增强。 2 3 另外，当Bi S 与初始BiOI 的摩尔百分比为4%时，Bi S /BiOI 的光催化活性最佳。