北理工模拟电子半导体基础概要.ppt

1.2.6半导体二极管应用举例 2、并联限幅电路 二极管与负载电阻并联 ui正半周且数值大于导通电压，二极管导通， uo＝ Ｕon ui负半周或数值小于导通电压，二极管截止， uo＝ ui * 1.2.6半导体二极管应用举例 3、双向限幅电路 两个二极管反向并联在输出端 限制了输出信号的正负幅度 uo＝ ?Ｕon * * 电源误接（反接）保护-单向导电性 集成 运放的线性应用（运算）-对数、指数电路 发光二极管 光电二极管（发射管、接收管） 稳压管 VS 正极 负极 1、稳压管的伏安特性 1.2.7 稳压管 A I/mA U/V 0 正向特性 反向击穿区 UZ Imin IZmax B AB段，电流变化很大而电压基本不变，可用来稳压 是一种特殊的二极管，一定条件下稳定电压。 稳压管必须工作在反向工作区，多采用硅材料。 * 2、稳压管的主要参数 （1） 稳定电压 UZ （2） 最小稳定电流 IZmin 电流为规定值时稳压管两端的电压值 稳压管稳压工作时的最小电流 （3） 最大耗散功率PZM和最大工作电流 I/mA U/V 0 UZ Imin IZmax * 2、稳压管的主要参数 （5） 动态电阻 rZ rZ = ? IZ ?UZ （6） 稳定电压的温度系数 ? 稳压管两端电压变化量与对应的电流变化量的比值 温度每变化1°C，稳定电压UZ的相对变化量 0 ?IZ ?UZ U/V Imin IZmax I/mA * * 稳定电压高于7V的稳压管具有正温度系数，低于4V的稳压管具有负温度系数，4-7V之间的温度系数最小。因此一般选用6V稳压管，或先用具有温度补偿的稳压管，也可将两个稳压值相同的管子反向串联使用。  稳压管正常工作的条件： （1）工作在反向击穿状态 （2）稳压管中的电流在稳定电流及最大工作电流之间 3、应用电路 uo＝ Ｕz * 限流电阻的选取在第10章介绍。 其他类型二极管 1、发光二极管： 当外加正向电压使的正向电流足够大时，二极管开始发光。 发光二极管也具有单向导电性。 2、光电二极管： 是一种光能与电能进行转换的器件，将接收到的光的变换转化成电流的变化。 * 本章小结 概念 本征半导体 载流子 杂质半导体（N型/P型） PN结 * 特性 半导体：掺杂性、光敏特性、温度特性与电容效应 PN结或二极管：单向导电性、反向击穿特性 方程 PN结或二极管：伏安特性 * 参数 二极管：最大整流电压、最大反向工作电压、反向电流、最高工作频率 稳压管：稳定电压、最小稳定电流、最大功率与最大工作电流 * * * 一、PN 结的形成 在同一块半导体单晶上,形成P型半导体和N型半导体,在这两种半导体的交界处就形成了一个PN 结。 1.1.3 PN 结 多子扩散 少子漂移 内电场方向 空间电荷区 P 区 N 区 * 由于载流子的浓度差，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。这种由于浓度差引起的运动称为扩散运动。 随着扩散运动的进行，N区出现正离子区，P区出现负离子区，这个不能移动的电荷区叫空间电荷区。因没有载流子，也叫耗尽层、势垒区、阻挡层。 * 由空间电荷区产生的、方向为N区指向P区的内建电场阻碍了扩散运动，同时使少子产生漂移运动，即N区的空穴向P区漂移， P区的电子向N区漂移。 当漂移运动和扩散运动达到动态平衡时，扩散电流等于漂移电流且方向相反，PN结中电流为零，PN结宽度及电位差Uho为恒定值。 硅：（0.6～0.8）V；锗：（0.1 ～0.3）V。 * 在一定的条件下，多子扩散与少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定下来。 P 区 N 区 内电场方向 * 内电场方向 二、 PN 结的特性 1、PN 结的单向导电性 是指PN结在不同极性的外加电压作用时，其导电能力有显著差异。 * 内电场方向 E 外电场方向 R I P 区 N 区 外电场驱使P区的空穴进入空间 电荷区抵消一部分负空间电荷 N区电子进入空间电荷区 抵消一部分正空间电荷 空间电荷区 变窄 扩散运动增强，形 成较大的正向电流 （1） 外加正向电压(正偏)（P端接电源正极） PN结两端不能直接接电源两端。 * P 区 N 区 内电场方向 E R 空间电荷区变宽 外电场方向 IR （2） 外加反向电压(反偏) （N端接电源正极） 少数载流子越过PN结形成很小的反向电流 * PN结的单向导电性 PN结正向偏置时靠多子导电，产生的正向电流数值较大,此时容易导电； PN结反向