23半体二极管.pptVIP

2.3 半导体二极管 一、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管的电路符号： 二、伏安特性 vD iD 死区电压Vth 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通电压VD: 硅管0.6~0.7V, 锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压VBR 门坎电压(死区电压）Vth：通过二极管的电流有一明显值时所加的正向电压。 三、主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBRM一般是VBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时(未被击穿）的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 4. 微变电阻 rd iD vD ID VD Q ?iD ?vD rd 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rd是对Q附近的微小