IC工艺_2-1概述.ppt

杂质对氧化速率的影响 /2 c. 掺磷对抛物型速率常数只有适度的增加，而使线性速率常数B/A明显变大；且随着温度升高影响逐渐减弱。 * 氧化再分布后，少量的P(分凝系数m1)分凝到SiO2中，使氧化剂在SiO2中的扩散能力增加不多，因而抛物型速率常数B变化不大；大部分P集中在Si表面，使线性速率常数B/A明显增大，而氧化速率取决于硅表面的掺杂浓度。 (分凝系数m = 杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度) 杂质分凝：n型杂质更倾向于进入硅，p型杂质更倾向于进入SiO2 。 * * * Effect of Si doping on oxidation m1，并且杂质在氧化物中扩散慢。例如 P，As，Sb杂质在硅界面处堆积； m1，并且杂质在氧化物中扩散快。例如Ga，硅界面处的杂质浓度低于体浓度。 * * 掺硼硅氧化层厚度与温度 和浓度的关系 当硼的浓度 时，对于任何温度和时间，氧化速率都增大。 * 掺磷硅氧化层厚度与温度 和浓度的关系 由图2.17可知，低温下氧化速率的增大非常明显，但随着温度的升高，氧化速率的增大逐渐消失。 由图2.18可知，当硼的浓度很高 时，线性速率常数B/A迅速增加，而B只出现适度增加。 * 其他杂质对氧化速率的影响 水汽 干氧中，极少量的水