全国20044月高教育自学考试电子技术基础(一).docVIP

全国2004年4月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（　　　） A．本征半导体 B．温度 C．杂质浓度 D．掺杂工艺 2．理想二极管构成的电路如题2图所示，则（　　　） A．V截止U0＝－10V B．V截止U0＝－3V C．V导通U0＝－10V D．V导通U0＝－6V 3．某电路中晶体三极管的符号如题3图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（　　　） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．状态不能确定 4．FET的转移特性如题4图所示，则该管为（　　　） A．N沟道耗尽型 B．N沟道增强型 C．P沟道耗尽型 D．P沟道增强型 5．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（　　　） A．共射组态 B．共基组态 C．共集组态 D．共漏组态 6．某单级放大电路的通频带为，由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路，其总的通频带应是（　　　） A．＝2 B． C．2 D． 7．若要求放大电路取用信号源的电流小，而且带负载能力强，在放