绪论和二极管方案.pptVIP

与普通二极管比较 相同点： 1.正向、反向特性相同； 不同点（反向击穿特性）： 1.稳压二极管比较陡； 2.UBRUZ。 例： 已知：UZ1=5V，UZ2 =6V， 求：UI=+15V，-15V，-8V 时的Uo。 作业：1-3,1-9,1-10,1-11，1-22 奇数周的周一交作业。 二、杂质半导体 1 定义： 按掺杂的不同分为P型(Positive--空穴型)和 N型(Negative--电子型)两种杂质半导体。 （1）P型半导体 （掺入少量杂质的半导体） 在本征半导体中掺入微量的三价元素(硼) 受主杂质: 多数载流子 — 多子 少数载流子 — 少子 三价杂质原子在电离中接受了一个电子 在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子。 结论 空穴浓度远大于电子浓度 （2）N型半导体 施主杂质 磷原子丢失一个电子时就变成了带正电的正离子 电子的浓度远远大于空穴的浓度。 结论：在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子。 在本征半导体中掺入微量的五价元素 三、PN结 1 PN结的形成 浓度差 空间电荷区 （内电场） 少子的漂移运动 动态平衡 稳定的空间电荷区 多子的扩散运动 P N 2 PN结 在P型和N型半导体交界面出形成的空间电荷区。 耗尽区、阻挡层、势垒层 几微米~几十微米 内电场的电势差：Si 0.5~0.7V