1_第一讲_基础知识解说.pptVIP

当VSD0，开始有电流。电流的方向从源到漏。沟道电流随VSG增加而增加。 当VSG＜VTH时，截止； 当VSD＜VSG－VTH时，PMOS工作在线性区； 当VSDVSG－VTH时，PMOS工作在深线性区； 当VSD≥VSG－VTH时，沟道被夹断，PMOS进入饱和区，电流相对恒定。 I 27 2、IV特性 μp为空穴的迁移率，是电子迁移率的1/2到1/4，因此 PMOS具有较低的“电流驱动能力”。 当PMOS工作在饱和区时，电流为： 28 （三）跨导 MOS管工作时，其漏极电流受过驱动电压控制，定义 跨导为电压转换电流的能力： 当MOS管工作在饱和区时，其跨导为 ＝1/Ron 深线性区等效电阻 当MOS管进入线性区时，跨导下降，故作为放大应用，通常使MOS管工作在饱和区 29 截止区： 深线性区： 线性区： 饱和区： un ：载流子迁移率 Cox ：单位面积栅氧电容 W/L：宽长比 VTH ： 阈值电压 （四）IV特性总结 30 （五）对NMOS和PMOS工作状态的判别 当VGD不足以形成反型层时，沟道被夹断，饱和 VG-VDVTH，夹断发生，饱和； VD-VGVTH,夹断发生，饱和。 VG-VD＝VTH VD-VG＝VTH VG-VDVTH 进入线性区 VD-VGVTH 进入线性区 D D S S G G 31 （六）二级效