第07章重量法论述.ppt

一、概述 一、概述 沉淀法 气化法 电解法 一、概述 优点：常作标准对照法 ? 准确度高（误差0.1~ 0.2%） ? 无需基准物质，标准溶液 4. 重量分析对沉淀的要求： 一、概述 1、沉淀溶解度小、沉淀完全 2、沉淀易过滤、洗涤 3、沉淀形式易转化为称量形式 4、沉淀要纯净 晶核形成 如：BaSO4成核 异相成核作用：非过饱和溶液中，构晶离子借助溶液中固体微粒形成晶核 晶核的生长 聚集速率＞定向速率 形成无定形沉淀 聚集速率＜定向速率 形成晶体沉淀 2）决定速率快慢的因素 ?聚集速率由沉淀时的条件决定： 规律 ? 定向速率由物质本性决定 3）热：S↑，过饱和度↓，聚集速率↓，定向速率↑，沉淀吸附的杂质量下降 无定形沉淀形成的条件 3、新的沉淀方法 加入的试剂并不直接与构晶离子作用产生沉淀，而是通过化学反应过程，使构晶离子缓慢产生，均匀地形成沉淀。 小体积沉淀法 比较 同离子效应 盐效应 酸效应 配合效应 其他：温度、溶剂、沉淀性状（粒度、结构） 选择原则 沉淀的溶解度应较小，保证沉淀完全 例：SO42- 沉淀剂易挥发或易分解 例：为沉淀Ca2+ 形成的沉淀应有易分离和洗涤的结构（要求晶形沉淀） 沉淀分子量大（减少称量误差） 沉淀过程中混入杂质的原因 ii. 生成混晶 杂质离子与构晶离子半径相近，电荷相同 杂质离子浓度有关，浓度↑形成混晶↑ 与沉淀剂加入速度有关， 加入速度↑形成混晶↑ 沉淀剂浓度太大 沉淀剂加入速度太快 快速生成沉淀，表面杂质来不及除去。又被新的构晶离子所覆盖 后沉淀现象 后沉淀现象的影响因素 放置时间 时间↑后沉淀现象↑ 温度 温度↑后沉淀现象↑ 2、沉淀纯净的方法 选择适当的分析程序和沉淀方法 控制沉淀条件：沉淀剂浓度、温度、沉淀剂加入速度、陈化时间 改变沉淀中杂质的存在形式 例： 选用合适的沉淀剂 有机沉淀剂 例：K+ KB(C6H5)4↓干扰少 洗涤: 洗去杂质 再沉淀 沉淀溶解 再沉淀，杂质留在母液中 过滤：分离沉淀和溶液 漏斗：普通漏斗、微孔玻璃漏斗 2. 洗涤 洗去沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液。 a）洗涤剂的选择原则 溶解杂质，不溶解沉淀 对沉淀无胶溶或水解 加热易挥发除去 不影响滤液测定 b. 选择方法 c ) 洗涤方法 步骤: 倾析法(上层清液倾入漏斗) 沉淀转至漏斗中 清洗烧杯，洗涤漏斗中沉淀 原则: 少量多次 洗涤剂用量: 沉淀剂：(NH4)2C2O4 Na2C2O4 沉淀剂： BaCl2 Ba(NO3)2 例：为沉淀SO42- 沉淀剂应具有特效性和良好的选择性 例: 合金溶液中要沉淀Zn2+离子, 采用 苦杏仁酸 （ 苯羟乙酸） Ti 4+，Fe 3+，V 5+，Al 3+，Cr 3+不干扰 -C-COOH H OH 用量 关键：依反应完全要求 计算方法 先按化学计量关系算出反应完成所需理论量 挥发性：增加50~100% 非挥发性：增加20~30% 增加太多行吗？ 四、沉淀剂的选择和用量 3. 常见沉淀剂 生成螯合物： 生成离子缔合物： 8-羟基喹啉-Al3+ 丁二酮肟-Ni2+ 四硼酸钠-K+ 铜铁试剂-Cu2+、Fe3+等 四、沉淀剂的选择和用量 进行沉淀反应时，溶液中原不应该沉淀的组分同时也被沉淀下来的现象 为共沉淀分三类： 表面吸附 生成混晶 吸留或包藏 b) 后沉淀现象 a) 共沉淀现象 五、沉淀的纯净 i. 表面吸附 吸附机理：用过量BaCl2作沉淀剂，沉淀SO42- Ba2+ Ba2+ Ba2+ Cl- Ba2+ Ba2+ SO42- SO42- SO42- Ba2+ Ba2+ Ba2+ SO42- SO42- SO42- Cl- 表面 第一 吸附层 共沉淀 双电层 晶格 五、沉淀的纯净 ? 首先吸附溶液中与沉淀组成相同的离子 ? 杂质离子与构晶离子形成沉淀的溶解度越小，或离解度越小，越易被吸附 ? 多种离子同时存在于溶液中，对于带电荷多的离子更易被吸附。 吸附规律： ? 溶液中杂质浓度：浓度↑吸附量↑ ? 沉淀表面积：晶体粒度↑表面积↓吸附量↓ ? 温度：温度↑吸附量↓ 吸附量： 吸附 解吸 （吸） （放） 五、沉淀的纯净 杂质取代构晶离子，进入沉淀中，形成一种固溶体 沉淀“陈化” 条件 避免形成混晶方法： BaSO4－PbSO4；AgCl－AgBr 五、沉淀的纯净 吸留：杂质机械地嵌入沉淀中 包藏：母液机械地