结晶学与矿物学分析.pptxVIP

第二章?晶体生长模型与面角守恒定律; 主要内容 形成晶体的方式 晶体成核 晶体生长的基本理论 晶面生长速度 决定晶体生长形的内因 影响晶体形态的外因 晶体的溶解和再生长 人工合成晶体的方法;§2.1形成晶体的方式;具体方式;3、溶液过饱和结晶：当溶液达到过饱和时，才能析出晶体。; (1)同质多象转变： 在一定热力学条件下，由一种结晶相转变为另一种结晶相。它们在转变前后的成分相同，但晶体结构不同。;（4）变晶 矿物在定向压力方向上溶解，而在垂直压力方向上再结晶，因而形成一向延长或二向延展的变质矿物，如角闪石、云母等，这样的变质矿物称为“变晶” （5）由固态非晶质体结晶 由非晶质体向晶体的转化是自发的，是释放能量的过程。这种由玻璃质转化为结晶质的作用为晶化作用或脱玻化作用。与上一作用相反，一些含放射性元素的晶体，由于受到放射性元素发生蜕变时释放出来的能量的影响，使原晶体的格子遭到破坏变为非晶质体，这一作用称为变生非晶质化或玻璃化作用）。;§2.2晶核的形成;成核作用与晶核;以溶液情况为例，说明成核作用的过程;设结晶相与液相自由能差为△Gv（＜0） 两相界面表面能为△Gs（＞0） 体系总自由能的变化为△G＝ △Gv＋ △Gs;;成核作用分为： 1、均匀成核：在体系内任何部位成核率相等。 2、不均匀成核：在体系的某些部位的成核率高 于另一些部位。;§2.3晶体的生长; 1．层生长理论;; 层生长理论 晶体在理想情况下生长时，先长一条行列，再长相邻的行列；在长满一层原子面后，再长相邻的一层，逐层向外平行推移。; （1）晶体常生长成为面平、棱直的多面体形态。;（3）由于晶面是向外平行推移生长的，所以同种矿物不同晶体上对应晶面间的夹角不变。;2． 螺旋生长理论;形成螺旋位错示意图; 位错的出现，在晶体的界面上提供了一个永不消失的台阶源（凹角）。;晶体螺旋生长示意图;SiC晶体表面的生长螺旋纹 ;三、再结晶作用; 在多晶集合体中，晶粒间存在界面，且界面两侧的同种晶粒，一般不会正好以相同的面网相邻接触，因而界面附近的质点都受到一定的相互作用力而偏离晶格中平衡位置，具有或多或少的应变能。与粗晶粒相比，细晶粒比表面大，因而细晶粒所具有的应变能大。为降低体系总自由能，细晶粒有合并为粗晶粒倾向。当受外界热能激发时，界面附近质点扩散移动引起再结晶，并伴随应变能释放。;晶体生长过程模拟;螺旋生长过程模拟; 晶面生长速度与晶面发育大小有密切关系 ;;结论： 一个晶面的法向生长速度比相邻晶面慢时，在晶体生长过程中其晶面总是逐渐扩大；如果生长比较快的晶面其生长值b大于相邻晶面生长值a/cosθ时(θ为两相邻晶面法线的夹角)，其晶面便有可能逐渐缩小，甚至最终被完全“淹没”而消失，这种现象称为晶面间的“超覆”(overlap)。;;;§2.5决定晶体生长形的内因 （晶面的发育）;1．布拉维法则;;结论： 在一个晶体上，各晶面间的相对生长速度与它们本身面网密度的大小成反比，即面网密度越大的晶面，其生长速度越慢；反之越快。; 2．居里—吴里夫原理; 居里－吴里弗原理：对于平衡形态而言，从晶体中心到各晶面的距离与晶面本身的比表面能成正比 (即各晶面的生长速度与各晶面的比表面能成正比）; 3．周期键链(PBC)理论;;§2.6影响晶体生长的外部因素; (1)环境的不均匀性 ; 温度的变化直接导致了过饱和度或过冷却度的变化，相应的改变了晶面的比表面能及不同晶面的相对生长速度，影响晶体形态。;（3）杂质;（4）粘度 粘度的加大，将妨碍涡流的产生，溶质的供给只有以扩散的方式来进行，晶体在物质供给十分困难的条件下生成。由于晶体的棱角部分比较容易接受溶质，生长得较快，晶面的中心生长得慢，甚至完全不长，从而形成骸晶。; (5)结晶速度 结晶速度大，则结晶中心增多，晶体长的细小，且往往长成针状、树枝状。反之，结晶速度小，则晶体长得极大。结晶速度还影响晶体的纯净度。快速结晶的晶体往往不纯，包裹了很多杂质。 ;§2.7晶体的溶解与再生; 晶面溶解时，将首先在一些薄弱地方溶解出小凹坑，称为蚀像。;思考: 晶面的溶解与晶面的面网密度有没有关系？;2．晶体的再生 破坏了的和溶解了的晶体处于合适的环境又可恢复多面体形态，称为晶体的再生.;(1)晶体溶解时，溶解速度是随方向逐渐变化的，因而晶体溶解可形成近于球形； 晶体再生时，生长速度随方向的改变而突变．因此晶体又可以恢复成几何多面体形态。 ;水热法培养晶体的装置 ;提拉法示意图 ;?(3) 低温溶液生长 从低温溶液(从室温到75°C左右)中生长晶体是一