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第七章-其它化学合成方法1
(2) 氧化膜的结构 FeO是p型氧化物,具有高浓度的Fe2+空位和电子空位。Fe2+和电子通过膜向外扩散(晶格缺陷向内表面扩散)。 Fe2O3为n型氧化物,晶格缺陷为O2- 空位和自由电子,O2- 通过膜向内扩散(O2- 空位向外界面扩散)。 Fe3O4中p型氧化物占优势,既有Fe2+的扩散,又有O2- 的扩散。 FeO Fe Fe3O4 Fe2O3 O2 Fe Fe2+ + 2e 通过Fe2+空位 Fe2+ e 电子空位 P型半导体 Fe2+ Fe3+ 通过阳离子空位 e e 电子空位 P型半导体 过剩电子 N型半导体 O2- 1/2O2+2e (1) (2) (3) (4) 相界面反应 (1)Fe Fe2+(FeO)+2e(FeO) (2)[Fe2+(FeO)+2e(FeO)]+Fe3O4 4FeO [Fe2+(FeO)+2e(FeO)+[O2-(Fe3O4)+2(Fe3O4)] FeO (3)2Fe3O4+[O2-(Fe2O3)+2(Fe2O3)] 3Fe2O3 [Fe2+(Fe3O4)+2e(Fe3O4)]+2Fe3+(Fe2O3)+6e(Fe2O3)]+ +[4O2-(Fe2O3)+8(Fe2O3)] Fe3O4 (4)1/2O2 O2-(Fe2O3)+2(Fe2O3) 铁在570摄氏度以上 氧化机构示意 0。8 0。6 0。4 0。2 0 20 40 60 80 100 120 1200摄氏度 内层FeO 中层Fe3O4 外层Fe2O3 各层的厚度(毫米) 氧化时间 (分) 工业纯铁空气中氧化时,各层氧化膜成长曲线 各层的厚度(%) 100 80 60 40 20 0 600 800 1000 温度 摄氏度 在1atm氧气中加热时铁的氧化层组成随温度的变化 Fe2O3 Fe3O4 FeO Fe-O体系各氧化反应的?Go-T关系式 (1)2Fe+O2=2FeO ?Go=-124100+29.92T(cal/mol O2) (2)2Fe+O2=2FeO(I) [注](1)表示熔融态 ?Go=-103950+17.71T (3)3/2Fe+O2=1/2Fe3O4 ?Go=-130390+37.37T (4)6FeO+O2=2Fe3O4 ?Go=-149250+59.80T (5)6FeO(I)+O2=2Fe3O4 ?Go=-209700+96.34T (6)4Fe3O4+O2=6Fe2O3 ?Go=-119250+67.25T 0ok 0oC 400 800 1200 1530 温度(摄氏度) -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 lgPo2 -20 -40 -60 -80 -100 -120 -140 -50 -40 -30 -20 △Go (Kcal) Fe-O系△Go-T平衡图 Fe2O3 ① ③ ④ ② ⑤ ⑥ Fe3O4 FeO FeO 1370摄 氏度 Fe 570摄氏度 800K时,Fe/Fe3O4界面 Fe3O4/Fe2O3界面 Fe2O3 /O2界面 1200K时,Fe/FeO界面 FeO/Fe3O4界面 Fe3O4/Fe2O3界面 Fe2O3 /O2界面 界面平衡氧分压: (3)平衡氧势与温度的关系 温度高,平衡氧势越大。 3、 金属表面上的氧化膜 1)膜具有保护的条件 体积条件(P-B比): 氧化物体积VMeO与消耗的金属体积VMe之比常称为P-B比(即Pilling- Bedworth比的简称)。 因此P-B比大于1是氧化物具有保护性的必要条件。 M-金属氧化物的相对分子量; n-金属氧化物中金属原子数量; d,D-金属与金属氧化物的密度 2)表面膜的破坏 ●表面膜中的应力 表面氧化膜中存在内应力。
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