薄膜的表征方法讲课.ppt

五、卢瑟福背散射技术（RBS） 具有较高能量而质量较小的离子在与物质碰撞的过程中会发生散射现象，这 一相应的过程被称为卢瑟福散射。利用这一物理现象作为探测、分析薄膜材料的 化学成分的分布的方法，被称为卢瑟福背散射技术。 如图(a)所示，由于离子能量很高而质量又很小，因而它将具有一定的对物质的穿 透能力，并且不会造成物质本身的溅射。在穿透物质的同时，高能离子与物质间 的相互作用可以被分为不同的两种情况： （1）高能离子在远离原子核的地方通过，并以不断激发原子周围的电子的方式 消耗自身的能量。 （2）当离子的运动轨迹接近了物质的原子核时，它与后者之间将发生经典的弹 性碰撞过程。 下图是卢瑟福背散射分析所使用的装置的示意图。 返回 Solid State Laboratory Department of Electronic Engineering, CUHK 2MV Tandem Accelerator 2MV Tandem Accelerator Solid State Laboratory Department of Electronic Engineering, CUHK Analyser magnet Ion Sources Accelerator tube Electrostatic quadruple triple lens External PIXE irradiation chamber Ion-implantation chamber Multi-purpose irradiation chamber Incident ion Backscattered primary ion RBS/C-RBS Bound (Auger) electrons AES X-ray emission PIXE Displaced atoms Implantation Visible, UV photons Nuclear reactions ion, g-rays, neutrons NRA Secondary electrons Vacuum Solid 六、二次离子质谱（SIMS） 质谱方法是利用电离后原子、分子或原子团质量不同的特点分辨其化学构成 的方法，相应的分析仪器被称为质谱仪。利用质谱仪可以直接对处于气体状态的 原子或分子进行分析。但对于固态物质，就需要先用特定的手段将它变成可供分 析的离子状态。二次离子质谱就是利用离子溅射的手段，首先从固体的表面溅射 出二次离子，再对其进行质量分析的仪器。 特点：具有极高的检出极限，它可以检测的元素相对含量甚至可以达到10-6的低 水平，这是上面介绍过的各类成分分析方法所不能比拟的。 缺点：谱的分析比较复杂。 二次离子质谱仪的结构示意图如图所示， 它装备有Ar+、O2-以及Cs+离子源，其能 量大致在2-15keV之间。离子束轰击样品 后产生出的二次离子或离子团首先被引 入离子能量分析器，其结构原理与前面 介绍过的静电式俄歇电子能量分析器类似。 返回 学习——基础 思考——关键 实践——根本 关联——灵魂 中国激光照排之父、北大方正创始人、北京大学已故王选院士首次表述 华中科技大学前校长杨叔子院士提炼 第六章 薄膜材料的表征方法 第一节 薄膜厚度测量技术 第二节 薄膜结构的表征方法 第三节 薄膜成分的表征方法 第一节 薄膜厚度测量技术 一、薄膜厚度的光学测量方法 二、薄膜厚度的机械测量方法 一、薄膜厚度的光学测量方法 1、光的干涉条件 观察到干涉极小的条件是光程差等于（N+1/2）λ。 2、不透明薄膜厚度测量的等厚干涉条纹（FET）和等色干涉条纹（FECO）法 等厚干涉条纹的测量装置如图（a）所示。 首先，在薄膜的台阶上下均匀地沉积上一层高反 射率的金属层。然后在薄膜上覆盖上一块半反半透的 平面镜。由于在反射镜与薄膜表面之间一般总不是完 全平行的，因而在单色光的照射下，反射镜和薄膜之 间光的多次反射将导致等厚干涉条纹的产生。 等色干涉条纹法需要将反射镜与薄膜平行放置，另外要使用非单色光源照射 薄膜表面，并采用光谱议分析干涉极大出现的条件。 3、透明薄膜厚度测量的干涉法 在薄膜与衬底均是透明的，而且它们的折射率分别为n1和n2的情况下，薄膜对垂直入射的单色光的反射率随着薄膜的光学厚度n1d的变化而发生振荡，如图中针对n1不同，而n2=1.5时的情况所画出的那样，对于n1n2的情况，反射极大的位置出现在 在两个干涉极大之间是相应的干涉极小。对于n1n2的情况，反射极大的条件变为 λ为单色光波长，m为任意非负的整数。 为了能够利用上述关系