06第六章介电3讲述.ppt

第六章 介电材料 电介质的本质特征是以极化的方式传递、存贮或记录电场的作用和影响，因此极化率(或电容率)是表征电介质的最基本的参量。 铁电体是一类特殊电介质，其电容率数值大，非线性效应强，有显著温度和频率依赖性。研究电容率及其在各种条件下变化，可得到关于铁电体结构、缺陷和相变信息，而且铁电体高电容率还是它用作高比容电容器材料的基础。 本章在简述电容率的测量以后，首先讨论铁电体的电容率与频率的关系，重点介绍介电弛豫，接着讨论相变温度附近电容率的变化，最后讨论电容率与电畴的关系以及电容率的尺寸效应。 §6.1 电容率及其测量 电容率ε是联系电位移D和电场E的对称二阶张量。其分量 ，单位为F/m。 相对电容率为 ， 真空电容率为 ε0 = 8.85×10－12 F/m， 介电损耗正切 。在电场E＝E0cos t作用下，电位移为 ，于是单位时间内单位体积电介质内能量损耗为 ，所以 或tanδ反映能量损耗的大小。 铁电体电容率测量注意问题： 电容率εmn组成一个对称二阶张量，非零独立分量的个数随点群对称性降低而增多。铁电体属于10个极性点群晶体，独立非零分量最少也有两个，测量时必须选择合适的晶体切向和尺寸，安排好晶体和电场取向，这较各向同性材料或立方晶体复杂，后面两种材料电容率只有一个独立分量。 铁电体特征之一是极化与电场强度之间呈非线性关系。激励电场强度不同电容率差别大，须规定和说明测量时电场强度：初始状态小信号电容率。 铁电体具有压电性，其电学量与力学条件有关，自由电容率大于夹持电容率，二者之差与压电性强弱有关。测量频率接近样品谐振频率时电容率呈现反常变化，低频电容率是指远低于样品谐振频率时的电容率，即自由电容率。 通常测量过程满足绝热条件，得到绝热电容率。 测量方法的选择决定于多种因素，最主要是频率范围。根据测量频率范围，所有测量方法可分为集中参量回路和分布参量系统两大类。 集中参量回路测量电容率频率范围为0-100MHz。在甚低频(0.1Hz以下)，一般用吸收电流法，即观测施加电场后电流随时间的变化。 0.1-10Hz时常用超低频电桥。频率继续升高，依次可采用电桥法、拍频法和谐振法。拍频法测量准确度很高，但不能测量介电损耗；普通电桥法上限频率为1MHz，但采用双T电桥可使上限频率达到100MHz。集中参量回路法已经发展完善，实用中没有大的困难。 现在阻抗分析仪可实现从几赫到几百兆赫的介电测量，并可由内设的微机控制自动进行，为低频介电特性的研究提供快速准确的测量手段。 分布参量系统的测量方法有多种，下表列出几种方法及其适用范围，可见每种方法适用范围有较严格限制。铁电体电容率大，损耗正切范围宽，而且往往难以得到尺寸足够大样品，加工也比较困难。较好的方法有三种： 同轴测量线圆片法。只要在计算公式中计入电场的非均匀性并满足一定的边界条件，此法可用于0.5-18GHz，而且被测电容率可达100。另一优点是圆片容易加工，避免了通常同轴线法需用圆环样品的困难。 谐振腔微扰法。将小样品引入到谐振腔，从谐振频率和优值Q变化计算和损耗正切。特点是样品很小，且计算较简单。频率范围可达20GHz。 更高频范围要用自由空间波法。用光学技术测量由介质反射的电磁波或透过介质的电磁波，频率范围可与远红外波段衔接。测量至100 GHz以上。 §6.2 两种类型的介电频谱 电介质的极化主要来自3个方面： 电子极化、离子极化和偶极子转向极化。 不同频率下各种极化机制的贡献不同，使各种材料有其特有的介电频谱． 介电色散方程 (6.7a) 这是德拜针对无相互作用的转向偶极子集合体得出的介电弛豫方程。令上式两边实部和虚部分别相等，得出 (6.7b) (6.7c) 德拜介电弛豫中电容率实部和虚部与频率的关系 谐振型介电色散方程 （6.9） 其中 。分别写出实部和虚部 谐振型介电响应中电容率实部和虚部与频率的关系 多振子系统中与频率有关的LST关系 光学横模频率一般在红外范围，故研究位移型铁电体的介电色散要采用红外技术。又因这些模的吸收系数大，通常不是测量红外吸收而是测量红外反射谱。通过与实验数据