第2章半导体二极管及其应用电路.pptVIP

第2章???半导体二极管及其应用电路 本章重点内容 PN结及其单向导电特性 半导体二极管的伏安特性曲线 二极管基本电路及其分析方法 二极管在实际中的应用 2.1.1 半导体材料 物质按导电能力分：导体，半导体，绝缘体。 如图2-2所示为半导体硅（Si）和锗（Ge）的原子结构，最外层4个价电子。 如图2-3所示，半导体单晶体内原子与原子之间的结合力，称为共价键。价电子最有可能成为载流子，但它束缚于共价键之中，只有热运动使价电子获得能量，足以冲破共价键的束缚时它才可能成为自由电子，参加运载电荷。我们把这一过程称为本征激发。自由电子是带负电的载流子。 空穴 根据图2-4，当价电子变为自由电子时，必然留下一个空位，使其它价电子也有可能参加导电。我们称空位为空穴，空穴也是一种载流子，但带正电荷。 图2-5表示在外电场作用下，空穴的导电过程。图中小圆圈表示空穴，实心小黑圆点表示价电子。E是外电场方向，Ip就是空穴电流方向。 由图2-5可见，空穴的导电过程，实际上是价电子在电场作用下，不断递补空位的过程。 自由电子与空穴在运动过程中相遇，自由电子填补空 位导致“电子——空穴对”消失，这一过程称为复合。可见，复合是激发的反过程。 在同样温度下，本征锗的导电率大于本征锗硅。 同时，温度愈高，本征激发产生的载流子数目愈多，导电性能也就愈好。 所以温度对半导体器件性能的影响很大。最终造成晶体管热稳定性的恶化。 注意： 与原子密度相比，本征载 流子浓度仍然极小，所以本征半导体的导电能力是很差的。 2.1.3 杂质半导体 在本征半导体中，掺入即使是极微量的其他元素（统称为杂质），其导电性能将大大增强。例如掺入0.0001%杂质，半导体导电能力将提高106倍！尽管杂质含量很微，但它们对半导体的导电能力却有很大的影响。因而对半导体掺杂是提高半导体导电能力的最有效的方法。 在纯净半导体单晶中用人工的方法掺入少量特种元素，就获得杂质半导体，晶体管就是由杂质半导体制成的。 1.两种类型的杂质 目前掺入半导体材料中的常用杂质分两类： 五价元素 磷（P） 锑（Sb） 砷（As） 三价元素 硼（B） 铝（Al） 铟（In） 镓（Ga） 我们发现，除了本征激发能产生载流子，掺杂质也能产生载流子，但并不成对出现。 硅管失效温度比锗管高： 5. 载流子的运动 载流子的运动形式有两种：漂移运动与扩散运动。 ① 漂移运动 载流子在外电场作用下的运动称为漂移运动，由此引起的电流称为漂移电流。 2.2 PN结的形成及特性 2.2.1 PN结的形成 P型半导体中空穴浓度很大，N型半导体中空穴浓度很小，由于浓度差，空穴将从P区扩散到N区，同理电子将从N区扩散到P区，如图2-11（a）所示。 空穴扩散到N区时会在原P区留下不能移动的带负电荷的受主杂质离子，而电子扩散会在原N区留下不能移动的施主杂质离子，结果在边界两边便形成一个很薄的空间电荷区，这就是所谓的PN结，如图2-11(b)所示。 在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗尽了，因此空间电荷区有时又称为耗尽区（耗尽层）。它的电阻率很高。扩散越强，空间电荷区越宽。 PN结（空间电荷区）形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区中形成一个电场，称为内电场。 内电场的出现，引起两个后果： ① 阻止多数载流子的继续扩散（故空间电荷区又称为阻层）； ② 引起少数载流子的漂移。漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，其作用正好与扩散运动相反。 2.2.2PN结的单向导电性 3. PN结的伏安特性表达式 2.2.3 PN结的反向击穿 当PN结反向电压增大 到一定值时，反向电流 随电压的增加而急剧增 大。产生PN结电击穿的 原因：在强电场作用下， 大大增加了自由电子和 空穴的数目，从而引起了 反向电流的急剧增加， 称为PN结的反向击穿（热击穿）。 这种现象的产生可以分为雪崩击穿(Avalanche Multiplication)和齐纳击穿(Zener Breakdown)。 a. 雪崩击穿：当反向电压增大到某一数值后，载流子 的倍增情况就下就像在陡峻的积雪山坡