复旦大学微电子工艺VLSI-05第五讲__光刻(下)解说.pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 2、Reducing resolution factor k1 Minimum feature size INFO130024.01 集成电路工艺原理 第四章 光刻原理 (下) 上节课主要内容 基于衍射理论的光刻原理 投影式（远场衍射）：分辨率、焦深、MTF、不相干度S 接触/接近式（近场衍射）:最小尺寸 光刻胶：正胶/负胶 光刻胶的组成 i线/g线（PAC） DUV（PAG） 掩模版制作 光刻机工作模式： 接触式，接近式，投影式（扫描式，步进式，步进扫描式） 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 光刻步骤简述 前烘 对准及曝光 坚膜 曝光后烘 光刻步骤详述 硅片增粘处理 高温烘培 增粘剂处理 ：六甲基二硅胺烷（HDMS） 匀胶机 涂胶：3000～6000 rpm，0.5~1 mm 前烘：10～30 min，90～100 ?C 热板 去除光刻胶中的溶剂，改善胶与衬底的粘附性，增加抗蚀性，防止显影时浮胶和钻蚀。 硅片对准，曝光 每个视场对准 曝光强度150 mJ/cm2 曝光后烘烤（PEB）：10 min，100 ?C 显影：30～60 s 浸泡显影或喷雾显影 干法显影 Alignment mark Previous pattern 坚膜：10～30 min，100～140 ?C 去除残余溶剂、显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，改善光刻胶的粘附性和抗蚀能力 显影检查：缺陷、玷污、关键尺寸、对准精度等，不合格则去胶返工。 Stepper Scan System Canon FPA-4000ES1: 248 nm, 8”wafer×80/hr, field view: 25 mm×33 mm, alignment: ?70 nm, NA: 0.63, OAI 透镜成本下降、性能提升 视场大 尺寸控制更好 变形小 图形转移——刻蚀 图形转移——剥离（lift-off） 去胶 溶剂去胶 （strip）：Piranha (H2SO4:H2O2)。 正胶：丙酮 氧化去胶 450 ?C O2+胶?CO2?+H2O? 等离子去胶（Oxygen plasma ashing） 高频电场 O2?电离O－＋O＋ O＋活性基与胶反应 CO2?， CO ?，H2O?。 干法去胶（Ash) 光源 NGL: X射线(5?)，电子束(0.62?)，离子束(0.12 ?) CaF2 lenses VUV 157 F2 (激光) Reflective mirrors EUV 13.5 激光激发Xe等离子体 90/65…32nm 193DUV 193 ArF (激光) 0.25/0.13mm DUV 248 KrF(激光) 0.5/0.35mm i线 365 汞灯 0.5mm g线 436 汞灯 技术节点 术语 波长?(nm) 光源 1、Using light source with shorter l 提高分辨率的方法 248 nm 157 nm 13.5 nm 193 nm Phase Shift Mask Pattern dependent k1 can be reduced by up to 40 % Normal Mask 1.相移掩模技术 PSM (phase shift mask) 附加材料造成光学 路迳差异，达到反相 Alternating PSM Attenuated PSM …… 相移技术提高图形分辨率 选择性腐蚀石英基板造成光学 路迳差异，达到反相 i ~ e2 2.光学光刻分辨率增强技术(RET) 光学临近修正OPC (optical proximity correction) 在光刻版上进行图形修正，来补偿衍射带来的光刻图形变形 OPC实例 3、离轴照明技术 OAI (off-axis illumination) 可以减小对分辨率的限制、增加成像的焦深且提高了MTF Mask design and resist process 0.3-0.4 248 0.3-0.4 193 0.6 365 0.8 436 k1 l [nm] Resist chemistry 436,365 nm: Photo-Active-Component (PAC) 248,193 nm: Photo-Acid-Generator