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芯片工艺及光电特性介绍 半导体激光器工作原理 半导体激光器（Laserdiodes）利用电子注入后半导体材料发生受激辐射并通过相干光子的谐振放大实现激光的输出，在调制电信号输入后完成光信号的输出 。 其激射工作需要满足3个基本条件：要有能实现电子和光场相互作用的半导体材料；要有注入能量的泵浦源；要有一个谐振腔并满足振荡条件。 典型的RWG--F-P LD制作工艺流程 光电特性 远场特性 光谱特性 PD芯片工艺及光电特性 光电二极管（PD)是一种光电转换器件，其基本原理是：当光照到PN结上时，被吸收的光能转变成电能。这个转变过程是一个吸收过程，与发光二极管的自发辐射过程和激光二极管的受激发射过程相逆。在光的作用下，半导体材料中低能级上的粒子可以吸收光能而跃迁到高能级；处于高能级上的粒子，也可能的在一定的条件下通过自发或受激发射放光而跃迁到低能级。通常，吸收过程和受激辐射过程是同时存在并互相竟争。在光电二极管中，吸收过程占绝对优势，而在发光器件中，则辐射过程占绝对优势。 PD芯片的基本类型有四种： P-N结型，PIN型，雪崩型和肖特基型。  通常, P-N结型光电二极管响应时间慢,一般不采用. PD芯片制作结构：平面工艺，台面工艺 PD芯片示意图 芯片光电特性 半导体材料及工艺设备 单层或多层半导体材料的生长 制作工艺