第5章电动势传感器汇编.ppt

第5章 电动势式传感器 本章包含三部分内容： 5.1 磁电感应式传感器 5.2 霍尔传感器 5.3 压电式传感器 5.1 磁电感应式传感器 简称感应式传感器，也称电动式传感器。 利用磁电作用将被测物理量的变化转变为感应电动势，是一种机－电能量变换型传感器。 5.1.1 工作原理 　　　N匝线圈在磁场中运动切割磁力线或线圈所在磁场的磁通变化时，线圈中所产生的感应电动势e的大小决定于穿过线圈的磁通量Φ的变化率，即： 图5.3和图5.4分别为动圈式和动磁式的结构原理图。 组成：金属骨架1、弹簧2、线圈3、永久磁铁4和导磁壳体5等。 特征：这种结构磁路系统产生恒定的直流磁场，磁路气隙不变，气隙中磁通也不变，运动部件可以是磁铁，也可以是线圈。两者工作原理完全相同。 5.1.3 特性分析 磁电感应式传感器是惯性式拾振器，适用于测量动态物理量，因此动态特性是这种传感器的主要性能。其等效电路如下(L传感器线圈电感、Ｒ线圈电阻) 5.1.4 磁电感应式传感器应用 1、磁电式振动速度传感器 CD/BCD-21系列利用线圈在永久磁场中作切割磁力线运动，产生与振动速度成正比的电压信号。经放大，微分或积分运算可测振动速度、加速度或位移。灵敏度高难度、内阻低。在机械振动测试中被广泛采用。为使用方便，配有CZ-3磁座。 2、磁电式转速传感器 图5.9所示，磁路系统----永久磁铁3+定子5+转子2+气隙 转子2的齿与定子5的齿相对时，气隙最小，磁阻最小（磁通量最大） 转子2的齿与定子5的槽相对时，气隙最大，磁通量最小。 5.2 霍尔传感器 　　基于霍尔效应，将被测量（如电流、磁场、位移、压力、压差、转速等）转换成电动势输出的一类传感器。 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。敏感元件也称霍尔元件。 5.2.2 霍尔元件结构及其特性分析 ①霍尔元件选材：N型锗---霍尔系数、温度性能、线性度好；P型硅---线性度最好，但带负载能力较差。 ②霍尔元件结构和外形见附图a：由霍尔片、4根引线和壳体组成。 霍尔片大小：4mm×2mm×0.1mm 4根引线:2根控制电流端引线（红色导线），要求焊接处欧姆接触----接触面积大、电阻小，呈纯电阻。2根霍尔电势输出引线以点接触对焊（绿色线）。 ③简化符号见附图2. 霍尔元件的主要技术参数有： １）灵敏度KH: 　B=1，I=1时的UH 。 　２）输入、输出电阻：控制电流极间的电阻、霍尔电压极间的电阻。 　３）额定控制电流：在空气中使霍尔元件产生10℃温升的控制电流。 　４）不等位电势与不等位电阻 (后面详述) 　５）寄生直流电势：当B=0时，在控制电流作用下的输出电势。 　６）感应零电势：当I=0时，在交变或脉动磁场中输出的电势。 　７）霍尔电势温度系数 　８）电阻温度系数： ９）灵敏度温度系数：温度每变化1℃时霍尔元件灵敏度KH的变化率。 10) 线性度 ： 包括以下三方面： １）控制电流与输出之间的关系（UH –I特性） UH=KHIB，当磁场和环境温度一定，UH–I为线性关系。 5.2.3 霍尔元件的基本驱动电路 霍尔元件的基本驱动电路如图所示，电路比较简单，其中R用来调节控制电流，RL为负载电阻。 其中：恒压驱动电路简单，但性能较差，随着磁感应强度 增加，线性变坏，仅用于精度要求不太高的场合； 恒流驱动线性度高，精度高，受温度影响小。 5.2.4 霍尔元件的误差分析及补偿 由于制造工艺问题以及实际使用时各种影响霍尔元件性能的因素，如元件安装不合理、环境温度变化等，都会影响霍尔元件的转换精度，带来误差。 霍尔元件的零位误差包括不等位电势、寄生直流电势和感应零电势等，其中不等位电势是最主要的零位误差。要降低除了在工艺上采取措施以外，还需采用补偿电路加以补偿。 （a） 两电极点不在同一等位面上（b）等位面歪斜 图5.17 霍尔元件不等位电势示意图 当霍尔元件通以交流控制电流而不加外磁场(B=0)时，霍尔输出除了交流不等位电动势外，还有直流电动势分量，称为寄生直流电动势。 产生原因：由于元件的两对电极不是完全欧姆接触而形成整流效应，以及两个霍尔电极的焊点大小不等、热容量不同引起温差所产生的。它随时间而变化，导致输出漂移。因此在元件制作和安装时，应尽量使电极欧姆接触，并做到散热均匀，有良好的散热条件。 ②合理选取负载电阻RL的阻值 ③采用恒压源和输入回路串联电阻 5.2.