第五章(全)--光电子技术概述.ppt

第五章：光电导探测器 简称PC(Photoconductive)探测器，也称为光敏电阻。 工作要求：为有源器件，工作时需要加适当的偏流或者偏压。 主要类型：本征型、杂质型、薄膜型和扫积型。 5.1 光电导探测器的工作原理及电流分析 一、光生电流的计算 5.2 光电导探测器的噪声及性能参数 * * 材料：n型半导体 VA：外加电压 IP：光生电流 α：光电导材料的吸收系数 R：表面反射率。 τ0：载流子平均寿命。 P：入射的光功率。 入射光沿x方向的变化为： （5.1.1） L P d w x VA 图5.1、光电导探测器模型 如果n(x)表示在x处光生载流子浓度，在外加电场作用下该处的漂移电流密度J(x)为： （5.1.2） 为光生载流子在外加电场作用下的漂移速度 在探测器收集极上光电流平均值为 假如探测器光敏面受均匀照射，电流平均值可以写成 （5.1.4） ：为电子迁移率。 （5.1.3） 光生载流子浓度计算： 在x处单位长度材料上吸收的光功率为 αP(x)： ：在x处单位时间吸收的光子数 :在x方向上单位长度体积内的被吸收的光子数 密度,由于α包含了量子效率在里面，因此也 等于单位时间、单位体积产生的光电子数。 ：单位时间、单位体积内复合掉的光电子数。 平衡状态下产生的光电子数等于复合掉的光电子数，因此有 （5.1.5） （5.1.7） 代入（5.1.4）式后得到光电流为: 得到 计算量子效： Ip：产生的实际光电流; Ip0 ：入射光子全部被吸收所产生的光电流 当入射光全部被半导体材料吸收时，在平衡状态下有 (5.1.9) （5.1.8） 其中 称为光电导探测器的内增益， 计算Ip0 得到光生载流子浓度为 可以得到相应的光电流为： 得到量子效率为 (5.1.10) 把上式代入(5.1.8)式可以得到 (5.1.11) 讨论G 值： ①G =1：表示光电子寿命τ0刚好等于它在电极间的渡越时间 τd，每产生一个光电子对外回路电流正好提供一个 电子的电荷e。 ②G 1：表示光电子寿命τ0小于电极间的渡越时间τd，每个 光电子对外回路电流的贡献将小于一个电子的电荷e。 ③G 1：空穴在移动过程中很容易被光电导材料体内的晶体缺 陷和杂质形成的陷阱俘获。当光电子在阳极消失时， 空穴仍留在体内，它将负极的电子感应到半导体中 来，感应进来的电子又在电场作用下运动到阳极，如 此循环，直到正电中心消失。这种效应相当于一个光 子激发，可以有多个电子相继通过电极，因而在外回 路对总的光电流的贡献将多于一个电子，相当于电流 被放大。 、噪声：主要有热噪声、产生-复合噪声和1/f 噪声。 总的噪声功率为 噪声功率谱密度分布特点 ①低频段主要是1/f 噪声 ②中频段主要是g-r噪声 ③高频段以热噪声为主 ④噪声谱转折点与半导体材料和结 构、工艺有关系，对大多数光电 导探测器来说，这两个转折点大 致在1KHz、1MHz量级，通常的工 作频率范围内g-r噪声是主要的。 1kHz 1MHz 图5.2、光电导探测器的噪声分布 二、光电导探测器的性能参数 响应率 电流响应率： 电压响应率： （5.2.2） 前面的推导我们已经得到 可以得到响应率为： 把 代入上式，可以得到电流响应率为： （5.2.3） 提高响应率的方法： (1)提高偏压VA的值，偏压越高，输出电流越大，响应率越高， 但偏压过高，通过器件的电流产生的焦耳热将增加。 (2)提高载流子寿命，可以在半导体中加入一些陷阱来提高载 流子寿命进而提高响应率，但会减慢响应速度。 (3)当入射的光功率一定时，减小光敏 面积能够提高单位体积内光生载流 子的数量，进而提高响应率。 B、光谱特性 光电导探测器是选择性探测器， 典型的光谱特性如右图 λp ：峰值响应波长 λC：长波限波长 RV/RVP 1.0 0.5 λPλC 图5.3、光谱响应特征 光谱响应曲线分析： ①采用的半导体材料不同导致不同的光谱响应波段： ②当波长由长波限端开始变小时，相应的光子能量增大，随着 波长的减小所有价电子有可能