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第五章:光电导探测器 简称PC(Photoconductive)探测器,也称为光敏电阻。 工作要求:为有源器件,工作时需要加适当的偏流或者偏压。 主要类型:本征型、杂质型、薄膜型和扫积型。 5.1 光电导探测器的工作原理及电流分析 一、光生电流的计算 5.2 光电导探测器的噪声及性能参数 * * 材料:n型半导体 VA:外加电压 IP:光生电流 α:光电导材料的吸收系数 R:表面反射率。 τ0:载流子平均寿命。 P:入射的光功率。 入射光沿x方向的变化为: (5.1.1) L P d w x VA 图5.1、光电导探测器模型 如果n(x)表示在x处光生载流子浓度,在外加电场作用下该处的漂移电流密度J(x)为: (5.1.2) 为光生载流子在外加电场作用下的漂移速度 在探测器收集极上光电流平均值为 假如探测器光敏面受均匀照射,电流平均值可以写成 (5.1.4) :为电子迁移率。 (5.1.3) 光生载流子浓度计算: 在x处单位长度材料上吸收的光功率为 αP(x): :在x处单位时间吸收的光子数 :在x方向上单位长度体积内的被吸收的光子数 密度,由于α包含了量子效率在里面,因此也 等于单位时间、单位体积产生的光电子数。 :单位时间、单位体积内复合掉的光电子数。 平衡状态下产生的光电子数等于复合掉的光电子数,因此有 (5.1.5) (5.1.7) 代入(5.1.4)式后得到光电流为: 得到 计算量子效: Ip:产生的实际光电流; Ip0 :入射光子全部被吸收所产生的光电流 当入射光全部被半导体材料吸收时,在平衡状态下有 (5.1.9) (5.1.8) 其中 称为光电导探测器的内增益, 计算Ip0 得到光生载流子浓度为 可以得到相应的光电流为: 得到量子效率为 (5.1.10) 把上式代入(5.1.8)式可以得到 (5.1.11) 讨论G 值: ①G =1:表示光电子寿命τ0刚好等于它在电极间的渡越时间 τd,每产生一个光电子对外回路电流正好提供一个 电子的电荷e。 ②G 1:表示光电子寿命τ0小于电极间的渡越时间τd,每个 光电子对外回路电流的贡献将小于一个电子的电荷e。 ③G 1:空穴在移动过程中很容易被光电导材料体内的晶体缺 陷和杂质形成的陷阱俘获。当光电子在阳极消失时, 空穴仍留在体内,它将负极的电子感应到半导体中 来,感应进来的电子又在电场作用下运动到阳极,如 此循环,直到正电中心消失。这种效应相当于一个光 子激发,可以有多个电子相继通过电极,因而在外回 路对总的光电流的贡献将多于一个电子,相当于电流 被放大。 、噪声:主要有热噪声、产生-复合噪声和1/f 噪声。 总的噪声功率为 噪声功率谱密度分布特点 ①低频段主要是1/f 噪声 ②中频段主要是g-r噪声 ③高频段以热噪声为主 ④噪声谱转折点与半导体材料和结 构、工艺有关系,对大多数光电 导探测器来说,这两个转折点大 致在1KHz、1MHz量级,通常的工 作频率范围内g-r噪声是主要的。 1kHz 1MHz 图5.2、光电导探测器的噪声分布 二、光电导探测器的性能参数 响应率 电流响应率: 电压响应率: (5.2.2) 前面的推导我们已经得到 可以得到响应率为: 把 代入上式,可以得到电流响应率为: (5.2.3) 提高响应率的方法: (1)提高偏压VA的值,偏压越高,输出电流越大,响应率越高, 但偏压过高,通过器件的电流产生的焦耳热将增加。 (2)提高载流子寿命,可以在半导体中加入一些陷阱来提高载 流子寿命进而提高响应率,但会减慢响应速度。 (3)当入射的光功率一定时,减小光敏 面积能够提高单位体积内光生载流 子的数量,进而提高响应率。 B、光谱特性 光电导探测器是选择性探测器, 典型的光谱特性如右图 λp :峰值响应波长 λC:长波限波长 RV/RVP 1.0 0.5 λPλC 图5.3、光谱响应特征 光谱响应曲线分析: ①采用的半导体材料不同导致不同的光谱响应波段: ②当波长由长波限端开始变小时,相应的光子能量增大,随着 波长的减小所有价电子有可能
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