第4章薄膜的化学气相沉积汇编.ppt

CVD动力学分析 CVD模型（Grove模型） 薄膜的生长过程取决于气体与衬底间界面的相互作用，可能涉及以下几个步骤： （1）反应气体从入口区域流动到衬底表面的淀积区域 （2）气相反应导致膜先驱物（组成膜最初的原子或分 子）和副产物的形成 （3）膜先驱物附着在衬底表面 CVD动力学分析 CVD模型（Grove模型） （4）膜先驱物粘附在衬底表面 （5）膜先驱物向膜生长区域的表面扩散 （6）吸附原子（或分子）在衬底表面发生化学反应导 致膜淀积和副产物的生成 （7）气态副产物和未反应的反应剂扩散离开衬底表面 （8）副产物排出反应室（进入主气流区被排除系统） CVD过程主要受两步工艺过程控制： （1）气相输运、气相反应过程； （2）表面吸附、表面反应过程。 1966年Grove建立了一个简单的CVD模型。认为控制薄膜沉积速率的两个主要因素是： （1）反应剂在边界层中的输运过程。 （2）反应剂在衬底表面上的化学反应过程。 常用三种CVD技术优缺点 * 激光辅助CVD装置的优点 ： 可实现薄膜的选择性沉积，即只在需要沉积的地方，才用激光束照射衬底表面。 可有效地降低衬底的温度。例：在50℃的衬底温度下也可实现SiO2薄膜的沉积。 热解 光活化 激光对衬底的作用机理 * 激光辅助CVD应用领域 ： 金属薄膜：利用某些金属化合物分子在光作用下的分解倾向。 绝缘介质膜：利用多种气体分子在光子促进作用下的化学反应。 * 金属有机化合物CVD装置（Metal organic chemical vapor deposition ） MOCVD： 它是利用有机金属如三甲基镓、三甲基铝等与特殊气体如砷化氢、磷化氢等，在反应器内进行化学反应，并使反应物沉积在衬底上， 而得到薄膜材料的生产技术。 特点：使用有机金属化合物作为反应物。 * 作为有机化合物原料必须满足的条件： a）在常温左右较稳定，且容易处理。 b）反应生成的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长层。 c）为了适应气相生长，在室温左右应有适当的蒸气压（≥1Torr）。 原料的优点： 这类化合物在较低的温度即呈气态存在，避免了Al、Ga、Zn等液态金属蒸发的复杂过程。整个下沉积过程仅涉及这类化合物的裂解反应，因而沉积过程对温度变化的敏感性较低，重复性较好。 * 应用领域：主要应用于化合物半导体材料的研究和生产，是当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段，如激光器、发光二极管、高效太阳能电池、光电阴极的制备，是光电子等产业不可缺少的设备。  ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? * MOCVD系统的示意图 AIXTRON的2400G3（HT）型MOCVD“行星式”反应室 * MOCVD综合评价： MOCVD设备相对其他设备价格要贵，不光是设备本身贵而且维护费用也贵。 MOCVD设备还是有很多优势的，一是控制极为精密，能生产出高质量的材料；二是便于规模化生产，只要材料研发成功极易转产业化。所以使用MOCVD设备是很多高校和科研单位的首选。 * MOCVD应用情况： 目前在光电方面应用得最成熟得是GaN LED了，现在国内已经有不少单位从事这方面得开发，比如北京大学、物理所、半导体所、南昌大学、中山大学、华南师范大学、山东大学、厦门大学、深圳大学等都做得还不错，南昌大学、厦门大学、物理所和半导体所都已经转产业化了。 关于氧化锌方面已经有南京大学、中科大、物理所、长春光机所、湖南大学、吉林大学也都在使用MOCVD从事ZnO方面得研究，虽然现在ZnO LED还面临着许多得困难，但相信国内得研究者们会有些突破。 * MOCVD法优点： 沉积过程对温度变化的敏感性低，重复性好。 MOCVD法的应用： 主要用于Ⅲ—Ⅴ族和Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料的外延生长。 * 五、等离子辅助CVD装置 （plasma enhanced chemical vapor deposition ） PECVD： 在低压化学气相沉积过程进行的同时，利用辉光放电等离子体对沉积过程施加影响的技术。它包括了化学气相沉积的一般技术，又有辉光放电的强化作用。 PECVD工作参数： 工作气压大约为5-500Pa，电子和离子的密度可达109-1020个/cm3，电子的能量高达1-10eV。 * * 属于低压CVD沉积。 利用辉光放电等离子体来促进反应活性基因的生成。因而显著地降低薄膜的