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中級難度2012年實驗 單軸 無shielding 高級難度一2012年實驗 用LCD內的data line當Sensor 高級難度二 2013年實驗單軸 有鋁箔shielding 正面 大綱 雜訊的戰爭 單層結構與雙層結構的戰爭 自電容與互電容之戰 OGS 與 In cell 之戰 大尺寸與小尺寸之戰 ITO 與 metal mesh 之戰 Cost Down 之戰 觸控專利大戰 雜訊的戰爭 雜訊的分類 雜訊與觸控偵測技術的關係 雜訊的對策 SNR vs RSNR 雜訊與複雜理論 雜訊的分類 動態雜訊 頻率較高，電路所產生，瞬間的變化大，平均變化小 靜態雜訊 頻率較低，靜電所產生，導體的運動影響大，瞬間變化小，平均變化大 雜訊與觸控偵測技術的關係 Apple 的互電容 動態影響最大，靜態雜訊影響中 與定電流充放電的關係 動態，靜態雜訊影響都大 與電荷移轉的關係 動態雜訊影響小，靜態雜訊影響大 與差動技術的關係 動態，靜態雜訊影響都小 對面板生產的一致性要求高 雜訊的對策 濾波，軟體平均法 跳頻 條件過濾法 靜音，安靜區段使用 差動輸入 SNR vs RSNR SNR 訊號與雜訊的比值 RSNR 相對訊號與雜訊的比值 當觸控面板遠離LCD時 SNR與RSNR相當 此時SNR大於50以上時都已夠用，100或1000沒有太大的意義 當觸控面板接近LCD，on cell ，in cell時 ，RSNR 才有意義，SNR已經不重要。 單層結構與雙層結構的戰爭 菱形跨橋(單層) Vs Apple Tx， Rx結構(雙層) 單層結構與雙層結構的戰爭 Apple in cell 與 單層全出Pin結構 Vs Sony Mix 結構(雙層) Single layer on cell Single layer on cell Sony mix Type on/in cell 自電容與互電容之戰 自電容的結構一 面結構 自電容的結構二 線結構 自電容的結構三 點結構 互電容的結構一 雙層結構 互電容的結構二 菱形跨橋結構 點自電容 與 互電容的比較 都可以做多點觸控 自電容的位置準確度高於互電容 自電容的靈敏度高於互電容 自電容式很容易做成 single layer 當尺寸變大時 自電容的點數會快速增加，觸控IC接腳越多，成本越高 中央的點線路會走不出來 走線越細ITO電阻越大 點數越多須要越多的時間掃瞄 Advance in cell 觸控技術可以徹底避免上述點自電容的困擾 All Point Addressing自電容 尺寸變大時 (一) 自電容的點數會快速增加，觸控IC接腳越多，成本越高。 以目前的IC生產成本，接腳對成本的影響不大。 (二) 中央的點線路會走不出來。 當 Sensor 線路作在BM上時，走線的密度非常高，在15寸以內的 面板都走的出來。 (三) 走線越細ITO電阻越大。 使用金屬線沒有電阻的問題。 (四) 點數越多須要越多的時間掃瞄。 使用分區掃瞄再逐次接近的技術，可以輕易的解決。 OGS 與 In cell 之戰 OGS終究比內嵌式要多一層ITO 所以透光度差5～10% 反射率差5~10% 成本差20~50% ITO圖案化會產生moire現象 貼合良率會差一些 產品壽命會差一些 On Cell 與 In Cell 都須要全貼合當尺寸越大時全貼合的良率越低所以目前較適合用於小尺寸 薄型化所衍生出的問題 雜訊 製作難度提高 功耗增加 可使用的觸控IC減少 薄型化後觸控的功耗問題 功耗= f * C * V1 * V2 越薄表示與GND越近，電容C 會增大 越薄雜訊越大，須更高的訊號電壓來改善SNR比 電壓對功耗的影響遠比電容大 使用高頻來加快反應速度或增加準確度對功耗而言不是好方法 增加回路內的電阻，對功耗的改善有限 大尺寸與小尺寸之戰 大尺寸獲利潤空間大，是目前大家決戰的主要戰場 小尺寸的數量大，是觸控終極目標的最大獲利區塊 大尺寸走向結合matel line 小尺寸走向結合 In cell ITO 與 metal mesh 之戰 透明導電膜成本遠高於金屬線 在光學特色上，金屬線寬要小於5um，才能與ITO競爭。 對觸控IC的要求上，金屬線的難度遠高於ITO 金屬線適用於in cell或大尺寸上 金屬線成功的關鍵在觸控IC Cost Down 之戰 觸控面板的成本遠高於觸控IC 所以擁有較大的降價空間 觸控IC的技術直接影響觸控面板的使用技術 所以Cost Down的關鍵在 觸控IC 觸控專利大戰 上游專利 非上游專利 專利的價值 上游專利 能找到類似的專利很少 通常不容易迴避設計 屬於最接近物理定律