第二章半导体制造概述.ppt

在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，器件的组成部分 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层 作为集成电路的隔离介质材料 作为电容器的绝缘介质材料 作为多层金属互连层之间的介质材料 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料 热氧化法 干法氧化 Si（固体）+O2（气体）→ Si O2 湿法氧化 Si（固体）+2H2O（气体）→ SiO2+2H2 温度低：小于600℃ 可以精确控制杂质分布 可以注入各种各样的元素 横向扩展比扩散要小得多。 可以对化合物半导体进行掺杂 掺杂的均匀性好 半导体制造 2.1 硅制造 晶圆 2.2 光刻技术 光刻胶 掩模版 2.3 氧化物的生长与去除 氧化硅的作用 氧化物的生长 氧化物去除 湿法刻蚀：使用可溶解氧化物但不会溶解光刻胶和其下的硅的液体 干法刻蚀：采用等离子或化学气体实现同样功能 2.4 扩散和离子注入 在衬底材料上掺入杂质，以改变半导体材料的电性能。掺杂过程是由硅的表面向体内作用的。目前，有两种掺杂方式：扩散法和离子注入法。 N+ N+ 扩散 扩散分为两步： STEP1 预淀积：将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅片表面。 STEP2 推进：在高温、高压下，使硅片表面的杂质扩散到硅片内部。 实验分析表明：浓度分布可由下式表示： 其中，Q：预淀积后硅片表面浅层的杂质原子浓度， D：杂质的扩散系数 t ：扩散时间 x：扩散深度 只要控制Q 、T、t 三个因素就可以决定扩散深度及浓度。 离子注入 将具有很高能量的杂质离子注入半导体中的掺杂方法 离子注入的特点 离子注入 Rp：穿透的平均深度 ?p：穿透深度的标准差 Nmax: NT：单位面积注入的离子数，即离子注入剂量 离子注入的分布有以下两个特点： 1．离子注入的分布曲线形状（Rp，бp），只与离子的初始能量E0有关。并杂质浓度最大的地方不是在硅的表面，X＝0处，而是在X＝Rp处。 2．离子注入最大值Nmax与注入剂量NT有关。 而E0与NT都是可以控制的参数。因此，离子注入方法可以精确地控制掺杂区域的浓度及深度。 2.5 硅淀积和刻蚀 外延 多晶硅淀积 多晶硅用来制作栅极 多晶硅用来制作电阻 2.6 金属化 2.7 封装 *