第二章半导体中的杂质和缺陷概述.pptVIP

Ec Ev ED EA1 Au－ 2. Au获得一个电子—受主 EA1= Ev + 0.15eV 3.Au获得第二个电子 Ec Ev ED EA1 Au2－ EA2= Ec - 0.2eV EA2 4.Au获得第三个电子 Ec Ev ED EA1 EA3= Ec - 0.04eV EA2 EA3 Au3－ 深能级杂质特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。 Ec Ev ED EA Au doped Silicon 0.35eV 0. 54eV 1.12eV §2-2 化合物半导体中的杂质能级 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的杂质 理想的GaAs晶格 价键结构： 含有离子键成分的共价键结构 Ga- As Ga Ga As Ga As+ Ga As 施主杂质 替代Ⅴ族元素 受主杂质 替代III族元素 双性杂质 IV族元素 等电子杂质——同族原子取代(III、Ⅴ族元素) ●等电子杂质 等电子杂质是与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子．替代了同族原子后，基本仍是电中性的。 由于共价半径和电负性不同，它们能俘获某种载流子而成为带电中心。带电中心称为等电子陷阱。 例如，N取代GaP中的P而成为负电中心 束缚激子——间接半导体发光机制 点缺陷：空位、间隙原子 线缺陷：位错 面缺陷：层错、晶界 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 1、缺陷的类型 §2-3 缺陷能级 2.元素半导体中的缺陷 (1) 空位 原子的空位起受主作用。 Si Si Si Si Si Si Si Si (2) 填隙 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si 间隙原子缺陷起施主作用 As Ga As As As As Ga As Ga Ga Ga As Ga As Ga As ●反结构缺陷 GaAs受主 AsGa施主 3. GaAs晶体中的点缺陷 ●空位VGa、VAs VGa受主 VAs 施主 ●间隙原子GaI、AsI GaI施主 AsI受主 e 4.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的缺陷 Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体 离子键结构 —负离子 —正离子 + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - a.负离子空位 产生正电中心，起施主作用 + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + + - + - + - + - + - 电负性小 b.正离子填隙 产生正电中心，起施主作用 + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + + - + - + - + - + - - + 产生负电中心，起受主作用 c.正离子空位 + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - - + + - + - + - + - + - - 电负性大 产生负电中心，起受主作用 d.负离子填隙 + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + + - + - + - + - + - - - 点缺陷能级作用基本判断方法： 空位看周边，填隙看自身 例：真空制备(Ba,Sr)TiO3薄膜时常导致缺氧，产生氧空位，请分析这时该材料的漏电机制。 例：分析PbS材料中Pb空位和填隙分别起施主还是受主作用。 思考：半导体表面能否在禁带产生能级？ 第二章 思考题与自测题： 说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？ 纯锗、硅中掺入Ⅲ族或Ⅴ族元素后，为什么使半导体电性能有很大的改变？杂质半导体（p型或n型）应用很广，但为什么我们很强调对半导体材料的提纯？ 把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中，杂质的电离能和轨道半径是否不同？把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中（例如锗和硅），杂质的电离能和轨道半径又是否都相同？ 何谓深能级杂质？它们电离以后有何特点？ 为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？ 说明掺杂对半导体导电性能的影响。 说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？ 什么叫杂质补偿？什么叫高度补偿的半导体？杂质补偿有何实际应用？ 第二章 习题 1. P64 习题 2 4 7 2. 设计一个实验：