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《真空镀膜技术与设备》复习思考题 名词解释类 PVD:物理气相沉积CVD：化学气相沉积?PECVD：?等离子体增强化学气相沉积法HCVD：热化学气相沉积??MW-CVD：微波化学气相沉积???LPCVD：低压化学气相沉积MOCVD：金属有机化合物化学气相沉积MBE：分子束外延??SEM：扫描电子显微镜???TEM：透射电子显微镜 工作气体指镀膜环境下真空室内通入的气体，反应气体指膜材（蒸发源）汽化蒸发出的反应气体。 蒸发速率、溅射速率与沉积速率； 蒸发速率：在单位时间内（秒）从单位膜材表面（平方厘米）以蒸汽形式蒸发出来的分子数 溅射速率：即在一次离子轰击下,单位时间溅射的厚度 沉积速率：在单位时间内沉积到基片上的膜层厚度成为沉积速率 溅射与溅射阈； 溅射：用荷能粒子轰击物体，引起物体表面原子从母体中逸出的现象 溅射阈：开始出现溅射的入射粒子能量 离子镀、离子束沉积与离子束辅助沉积； 相同之处： 利用离化的粒子束流（离子束）参与基片上的沉积过程 不同之处： 真空离子镀——沉积于基体上的膜材粒子中，有部分粒子是以离子形式入射沉积的。 特征：基片处于相对负电位，基片及膜层在镀膜过程中始终受到高能离子（膜材离子、气体离子）的轰击。 离子束（束流）沉积——膜材直接以离子束的形式沉积在基片上 离子束辅助沉积——镀膜过程中，工作气体的离子束轰击基片和膜层 激光蒸发镀膜和激光化学气相沉积。 激光蒸发镀膜：利用激光源发射的光电子束的光能来加热蒸发膜材 激光化学气相沉积： 用激光诱导来促进化学气相沉积， 它的沉积过程是激光光子与反应主 体或衬底材料表面分子相互作用的过程，依据激光的作用机制可分为激光热解沉积和激光 光解沉积 三、回答问题类 1．与湿法镀膜相比真空镀膜有哪些主要优点 书第一页第三段 2．绘制真空镀膜技术的分类图 书第二页 表1——1 3．PVD和CVD镀膜工艺各包括哪几个基本过程 PVD：离散（蒸发、溅射）过程，运输（迁移）过程，沉积（淀积）过程 CVD：运输（迁移）过程，沉积（淀积）过程，和穿插在二者之间的反应过程 4．PVD工艺有哪几种离散方法？ PVD工艺中的离散过程，是将固体原材料转化为可以迁移的气相成分的步骤，常用方法有蒸发和溅射两种方法。 对此二过程的分析： 质量守恒及质量迁移； 能量守恒及能量迁移 蒸发过程分析 原料固相——液相——气相 少数直接升华，固相——气相 如铬 原料参与相变的量：首先全部液化，然后部分汽化——感应坩埚 或者：只有一部分参与液化和汽化，其它只是受热升温——电子枪，激光 所需要的热量：固相升温热、熔化热、液相升温热、汽化潜热 热损失量：坩埚热损失 溅射过程分析 原料固相——气相， 原料参与相变的量：只有被溅射原料参与溅射过程，其它原料只是受热升温， 所需能量：材料被溅射所需能量，仅占 % 损失能量： 产生入射离子所消耗的能量； 离子入射动能量转化为靶的热量损失 5．什么是化学气相沉积的三个基本过程？ CVD镀膜工艺包括输运（迁移）过程、沉积（淀积）过程和穿插于二过程之间的反应过程三部分。 6．真空镀膜过程中，荷能粒子与表面主要有哪些种类相互作用？ 背散射 俘获 贯穿 再释 (表面)溅射 溅射阈 溅射产额 气体溅射 损伤 电子诱导脱附 电子发射 热电子发射 光电子发射 场致发射 二次电子发射 俄歇电子发射 7．薄膜的生长模式有哪几种？ 岛状生长模式,层状生长模式，混合生长模式本征应力：膜层生长及其结构变化而产生的内应力，包括淀积内应力和附加内应力。热应力和本征应力。薄膜和基体的热膨胀系数不同产生热应力本征应力产生起因。 成膜时基片加热：利于膜结构缺陷的减少，再结晶加强，内应力小；但温度过高热应力大； 控制沉积速率：沉积过快不利再结晶等膜的正常生长过程的进行； 基片与膜之间打底膜、过渡膜、梯度膜； 镀后热处理，在膜基界面处，形成扩散合金层 11．气体放电中主要有哪些种类的粒子碰撞？ 附着碰撞 慢电子 e + A A— 激发碰撞 激发电位 e + A A* + e 电离碰撞 电离电位 e + A A+ + 2e 复合碰撞 表面复合，空间复合 e + A+ A 和A— + A+ 2A 12．画出直流二极气体放电的伏安特性曲线。真空镀膜中用到的是那些段？ 图在 13．磁控放电与普通直流放电的差别是什么？ 1维持放电的气体压力更低, 有利于输运过程; 2放电的着火电压更