工艺之扩散(三)12绪论.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 四探针法——测量薄层电阻 磨角法——测量结深 磨槽法——测量结深 扩展电阻探针——测量纵向杂质分布及结深 二次离子质谱（SIMS） ——测量元素的纵向分布 SIMS原理图 二次离子质谱（SIMS）仪 卢瑟福背散射（RBS） ——测量元素的纵向分布 卢瑟福背散射（RBS）原理图 作业题：1. 运用扩散工艺，能否实现浓度峰值不在表面的掺杂分布，为什么？2. 为什么氧化增强扩散的效果按硅表面晶向(111)、(110)、(100)的顺序递减？3. 一个硅衬底中存在n型杂质，浓度为1?1016 cm-3，分布均匀。对此硅片先进行B的预扩散（975 oC, 15分钟），已知975 oC下B在硅中的固溶度为3.5?1020 cm-3、扩散系数为1.5?10-14 cm2/s，且erfc-1(2.9?10-5)=2.9。然后，对预扩入的杂质B进行再分布（1180 oC, 30分钟），已知1180 oC下B在硅中的扩散系数为10-11 cm2/s。试求：掺入杂质B的总剂量Q和形成的结深Xj。 * * * * * * * * * * * * * * * * 各种荷电空位之间不发生相互作用 各种空位以不同的方式与离化的扩散杂质相互作用 每一种杂质-空位复合体具有不同的激活能和扩散系数 3. 3.4.4 发射区推进效应 在制作窄基区晶体管中，基区扩硼，发射区扩磷，发射区正下方硼扩散快。 原因：磷离子P+和双负电荷空位V2-所形成的P+V2-对分离，大量空位迁移到正下方的基区。 改善：用As代替P 3.4.5 氧化增强扩散（OED） 双扩散机制：杂质可以通过替位和间隙两种方式实现扩散运动 ①对于B，间隙机制更重要；②Si-SiO2界面产生大量间隙硅；③间隙硅与硼作用，使硼间隙化 磷、硼的扩散：替位→间隙→替位方式运动（扩散比单纯的替位快） 锑的扩散：以替位为主，氧化使之受滞 高温（1150 0C）或厚氧氧化时，Si-SiO2界面产生空位，锑扩散增强而硼减弱 3. §3.5.1 传统扩散工艺 固态源扩散 液态源扩散 气态源扩散 §3.5.2 扩散工艺的发展 快速气相掺杂（RVD） 气体浸没激光掺杂（GILD） 大部分器件特征尺寸小于1mm，用离子注入；扩散只用于重掺杂 §3.5 扩散工艺 扩散工艺是一种重要的应用较早的、而且现在仍被广泛采用对半导体晶体进行掺杂的方法，其基本过程为：半导体晶体，如硅片，暴露在含有掺杂杂质的固态、液态或气态源中。在硅片表面发生反应并提供向半导体晶体掺杂的杂质原子，在高温下杂质原子通过没有被氧化物保护的区域扩散进入到半导体中。发生扩散的原因是，在晶体表面的杂质原子浓度大于晶体内部的浓度。这种方法产生的表面杂质浓度可以达到很高（由杂质在半导体中的固溶度决定，可高达1021/cm3），表面区域因掺杂原子类型的不同而呈现为n型或p型特性。需要注意是，在SiO2中也会发生扩散，只是对一般杂质而言其扩散速度相对缓慢。这说明SiO2只能在有限的时间内保护位于其下方的硅。对于一定的杂质来说，氧化层提供掩蔽的时间依赖于氧化物的厚度、扩散的温度和衬底的掺杂等情况。 基本的工艺过程 §3.5.1 传统扩散工艺 杂质扩散源 （a）固态源： BN，NH4H2PO4磷酸二氢铵等 （b）液态源：液态源掺杂常用B源BBr3 （c）气态源：AsH3，PH3，B2H6等 硼的杂质源有很多，但大多先分解或化合产生B2O3，然后与Si发生如下反应： 2B2O3+3Si→4B+3SiO2 B2O3是无色透明的固体粉末，性硬而脆，溶于酸和醇，热稳定性好，熔点为577 0C，沸点为1860 0C B2O3吸水而生成正硼酸（H3BO3）和偏硼酸（HBO3） Si表面上过量的B2O3可能导致硅化物或其它硼化物——具有电绝缘性质，能引起接触不良；且很难用酸去掉；湿氧氧化中转化为硼硅玻璃，可用HF腐蚀掉 在含有3％-10％体积氧的气氛下进行B扩散 磷的杂质源也很多，但大多先经化学反应生成P2O5，然后与Si发生如下反应： 2P2O5+5Si→4P+5SiO2 P2O5成白色粉末状，熔点为420 0C，但在300 0C时升华，吸水性很强