电路与电子技术简明-常用半导体器件说课.pptVIP

3.4 场效应管 特性曲线 3.4.1 第三章 常用半导体器件 3.特性曲线 ２） 转移特性曲线 场效应管的转移特性是指当漏源电压uDS 为某一定值时， 漏极电流iD 与栅源电压 uGS 的关系， 即 ， 图（b） 为某N 沟道JFET 的转移特性曲线。 3.4 场效应管 绝缘栅型场效应管 3.4.2 第三章 常用半导体器件 1.增强型绝缘栅型场效应管 １） 结构与符号 N 沟道增强型MOS 管的结构如图所示。图（b） 、（c） 分别为N 沟道和P 沟道增强型MOS 管的图形符号。 3.4 场效应管 绝缘栅型场效应管 3.4.2 第三章 常用半导体器件 1.增强型绝缘栅型场效应管 ２） 工作原理 N 沟道增强型MOS 管正常工作时， 栅源极之间应加正电压， 即uGS ＞ ０ ， 漏源极之间也应加正电压， 即uDS ＞ ０ 。 3.4 场效应管 绝缘栅型场效应管 3.4.2 第三章 常用半导体器件 1.增强型绝缘栅型场效应管 ３） 特性曲线 N 沟道增强型MOS 管的输出特性曲线和转移特性曲线分别如图（a） 、（b） 所示。 3.4 场效应管 绝缘栅型场效应管 3.4.2 第三章 常用半导体器件 2.耗尽型绝缘栅型场效应管 １） 结构与符号 N 沟道耗尽型MOS 管的结构如图（a） 所示。 3.4 场效应管 绝缘栅型场效应管 3.4.2 第三章 常用半导体器件 2.耗尽型绝缘栅型场效应管 ２） 工作原理 N 沟道耗尽型MOS 管正常工作时， 漏源极之间应加正电压， 即uDS ＞ ０ ， 而栅源极之间的偏置电压uGS 可正可负。 ３） 特性曲线 N 沟道耗尽型MOS 管的特性曲线如图所示， 其输出特性曲线也可分为可变电阻区、恒流区和夹断区。 3.5 　技能训练 3.5.1 　二极管单向导电性的测试 3.5.2 　二极管整流电路的测试 3.5.3 　三极管各极电流关系的测试 详见课本83-85页 第三章 常用半导体器件 电路与电子技术简明教程-常用半导体器件 3.１ 　正弦交流电路的基本概念 3.１半导体基础知识 本征半导体 3.1.1 半导体器件是由半导体材料制成的。半导体是指其导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质， 最常用的是硅（Si） 和锗（Ge） 两种元素半导体。半导体材料之所以得到广泛的应用， 是因为具有不同于导体和绝缘体的独特性质。 （１） 当半导体受到外界光或热的激发时， 其导电能力会发生显著变化（即光敏与热敏特性） 。 （２） 在纯净的半导体中加入微量的杂质， 其导电能力也会有显著的增加（即掺杂特性） 。 １.半导体材料 第三章 常用半导体器件 3.１半导体基础知识 本征半导体 3.1.1 本征半导体是完全纯净的、结构完整的半导体晶体， 如图所示 ２.本征半导体 第三章 常用半导体器件 3.１半导体基础知识 杂质半导体 3.1.2 在纯净的硅（或锗） 晶体中掺入微量的磷元素， 就形成了N 型半导体。杂质磷原子有５ 个价电子， 以４ 个价电子与周围的硅原子形成共价键， 多余的一个价电子处于共价键之外， 很容易成为自由电子， 而磷原子本身因失去电子变成带正电荷的离子， 如图（a） 所示。 1. N 型半导体 第三章 常用半导体器件 3.１半导体基础知识 杂质半导体 3.1.2 在纯净的硅（或锗） 晶体中掺入微量的３ 价硼元素， 就形成了P 型半导体。由于硼原子只有３ 个价电子， 与周围的硅原子形成共价键时， 因缺少一个电子而产生一个空位（即空穴） 。在室温下很容易吸引邻近硅原子的价电子来填补， 于是杂质硼原子变为带负 电荷的离子， 而邻近硅原子的共价键中则出现了一个空穴， 如图所示。显然， 在P 型半导体中， 空穴是多子， 而自由电子是少子。 第三章 常用半导体器件 2.P 型半导体 3.１半导体基础知识 PN 结及其单向导电性 3.1.3 如果将P 型半导体和N 型半导体制作在同一块本征半导体基片上， 在其交界面就会形成一层很薄的特殊导电层即PN 结， 如图所示。PN 结是构成各种半导体器件的基础。它由不能移动的正负离子组成， 其中几乎没有载流子， 因此又称其为空间电荷区或耗尽层。 第三章 常用半导体器件 1.PN 结 3.１半导体基础知识 PN 结及其单向导电性 3.1.3 若在PN 结两端外加电压， 即给PN 结加偏置电压，PN 结中将有电流流过。当外加电压极性不同时，PN 结表现出截然不同的导电性能， 即呈现出单向导电性. １） 正向导通 若PN 结的P 端接电源正极、N 端接电源负极， 这种接法称为正向偏置， 简称正偏， 如图所示。 ２） 反向截止