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电 子 线 路 主讲人：郑晓东 参考书: 《电子技术基础 模拟部分》康华光 高等教育出版社 《电子技术基础 数字部分》康华光 高等教育出版社 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 2. 极间反向电流 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 3. 极限参数 (3) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结 反向击穿电压。 ? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 1.3.5 温度对BJT参数及特性的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。 (2) 温度对? 的影响 温度每升高1℃， ? 值约增大0.5%~1%。 (3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。 2. 温度对BJT特性曲线的影响 1. 温度对BJT参数的影响 P沟道 耗尽型 N沟道 增强型 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： § 1. 4 场效应管 1.4.1 结型场效应管 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 栅极 源极 漏极 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VGS(off) 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VGS（off） 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? 1.2.1基本结构及符号 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管的电路符号： § 1. 2 半导体二极管 实际二极管的照片 1.2.2伏安特性 实际特性曲线 U I 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 开启电压: 硅管0.5~0.7V,锗管0.1~0.3V。 反向击穿电压UBR 在正向偏置时，其管压降为0V，而当二极管处于反向偏置时，认为它的电阻为无穷大，电流为零。在实际的电路中，当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此法来近似分析是可行的。 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ，反向电阻=∞ ，反向电流=0 理想特性曲线 1稳压二极管（齐纳二极管） 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 1.2.3其他类型的二极管 稳压管的代表符号与V-I特性 (a)代表符号(b)V-I特性(c)反向击穿时的模型 (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数——?VZ 2. 稳压二极管主要参数 （2） 变容二极管 （a）符号 （b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度） （3） 肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 （4） 光电子器件 1. 光电二极管 （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 2. 发光二极管 符号 光电传输系统 1.2.4 二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IFM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平