Bi、Se、Te吸附对np型石墨烯电子结构影响研究.pdfVIP

分布进行分析可知Se吸附N掺杂体系的费米能级由导带移动到了价带，Bi吸附B掺杂 体系的费米能级由原来的价带移动到了带隙处等。为了揭示电子转移情况，进一步研究 了电荷密度与差分电荷密度的分布。 在我们所研究的体系中，Se的吸附能力都比Bi和Te的强。缺陷对原子的吸附影响 很大，单空位、B掺杂和N掺杂皆增强了Bi、Se和Te在石墨烯上的吸附能力，其中单 空位影响最大，B掺杂体系次之，N掺杂体系最弱。相对于石墨烯中的缺陷，Bi、Se和 Te在完整石墨烯上的吸附对体系的电子结构影响较小。 关键词：石墨烯，吸附，掺杂，Bi，Se，Te，电子结构，态密度，第一性原理计算，密 度泛函理论 ABSTRACT isan kindofmaterialsfor researchinmaterialsscienceand Grapheneimportant condensed．matter itsnumerous as physics，for orbit hall uniqueproperties，suchspin couplingeffect，anomalous quantum electron bandsemiconductorfeaturesandthesub-lattice effect，high mobility,zero SO gap symmetry,and willbe candidateforthenext on．Graphenegood electronic ofthese generation materials，because hasbeen in properties．It fields．For widelyappliedmany example，electronic and sensorSO insulatorisanewsubstance whichhas orbit effect．Itis on．Topological strongspin coupling differentfromtraditional semiconductororinsulator．Ithasattractedextensiveattentionduetoinherent special and insulatorshave characteristicsin are properties．Graphenetopological many common．They bothDirae statesonzero leveland orbit material，haveedge energy SOon．There spin coupl．mgeffect，and are ofhave many