改3光辐射探测器的理论基础浅析.ppt

3.1 半导体基础 半导体特性 能带结构 i，n和p型半导体 热平衡下的载流子的浓度 半导体中的非平衡载流子 载流子的扩散与漂移 半导体特性 电阻温度系数是负的，对温度变化敏感 温度升高，电阻下降 优点：测温 缺点：精度受环境影响，实现高精度需恒温 导电性能受微量杂质的影响而发生十分敏感的变化 室温下纯硅 电导率5*10-6/Ω/cm 室温下纯度为99.9999%硅 电导率2/Ω/cm 导电能力和性质受光电磁等外界作用发生重要的变化 第一节 半导体基础 半导体特性 能带结构 i，n和p型半导体 热平衡下的载流子的浓度 半导体中的非平衡载流子 载流子的扩散与漂移 孤立原子中的电子状态 电子按照一定的壳层排列 电子在壳层上的分布遵守泡利不相容原理和能量最低原则 电子具有确定的分立能量值 电子的共有化运动 晶体中的能带 电子在晶体中不仅受本身原子势场影响，还受周围原子势场作用，该作用使本来处于同一能量状态的、不同位置的电子发生了能量微小的差异 晶体中若有N个原子，每个相同能级都分裂为N个新的能级，成为能带。 允带-----电子可占据的能带。 禁带-----电子占据不了的间隙叫禁带。 满带---被电子占满的允带称满带 价带---晶体最外层电子能级分裂所成的能带。 导带---比价带能量更高的允带称导带。 自由电子---从价带跃迁到导带的电子 自由空穴---电子从价带跃迁到导带后，价带中出现电子的空缺 本征激发---电子直接由价带跃迁到导带，特点是产生的电子数等于空穴数； 载流子---自由电子和自由空穴。 第一节 半导体基础 半导体特性 能带结构 i，n和p型半导体 热平衡下的载流子的浓度 半导体中的非平衡载流子 载流子的扩散与漂移 i，n和p型半导体 i型半导体：（本征或纯净半导体） 四族 C、Si、Ge、Sn、Pb T=0K，材料不导电 T=常温，半导体有导电性（热激发） 禁带宽度大决定其导电能力弱 n型半导体 如果在四族原子锗或硅组成的晶体中掺入五族原子砷或磷 ，就形成了n型半导体 施主原子---As，施主能级---Ed 施主电离：施主能级上电子跃迁到导带叫施主电离，特点是只产生电子 施主电离能---施主能级和导带底间的能量差 N型半导体中，自由电子浓度将高于自由空穴浓度。自由电子是多子，空穴是少子 p型半导体 如果在四族原子锗或硅组成的晶体中掺入三族原子硼 ，就形成了p型半导体 受主原子---B，受主能级---Ea 受主电离：受主能级上空穴跃迁到价带叫受主电离，特点是只产生空穴 受主电离能---导带底和受主能级间的能量差 P型半导体中，自由空穴浓度将高于自由电子浓度。自由空穴是多子，电子是少子 第一节 半导体基础 半导体特性 能带结构 i，n和p型半导体 热平衡下的载流子的浓度 半导体中的非平衡载流子 载流子的扩散与漂移 热平衡下的载流子的浓度 载流子浓度：单位体积的载流子数。 为什么要研究载流子浓度？ 半导体的电学性质与材料的载流子浓度有关 热平衡载流子最终形成暗电流和噪声 热激发：一定温度下，非外界作用，从不断热振动的晶体中电子获得一定的能量，从价带跃迁到导带，形成自由电子。 复合：电子释放能量由导带回落到价带。 热平衡状态 一定温度时，热产生的载流子数恒定，热激发与复合动态平衡。温度改变后，热激发变化，随后复合跟上，最终新平衡建立 热平衡时载流子浓度决定于： 能级密度 能级被电子占据的概率 能级密度 定义：导带和价带内单位体积，单位能量能级数目。 导带能级密度 价带能级密度 当离导带低或价带顶越远时，能级密度越大 费米能级和电子占据率 电子占据率： Ef为费米能级 T=0，若EEf，fn(E)=1 T0，若E=Ef，fn(E)=0.5 若EEf，fn(E)0.5 若EEf，fn(E)0.5 空穴占据率：fp(E)=1- fn(E) 平衡载流子浓度 自由电子浓度 为导带有效能级密度。 自由电子浓度n与温度及费米能级位置有关。 自由空穴浓度 为价带有效能级密度。 自由空穴浓度p与温度及费米能级位置有关 推论 热平衡下，任何半导体中， n与p的乘积与费米能级无关； 热平衡下，任何半导体中，n与p的乘积与Eg成反比； 热平衡下，任何半导体中，n与p的乘积与温度成正比 室温下硅、锗、砷化镓的本征载流子浓度 n型半导体载流