半导体光电子器件复习讲课.docx

半导体光电子器件课程梳理 Chap 1 绪论 1. 半导体激光器的发展 第一发展阶段——同质结构注入型激光器（二十世纪60年代初） 特点：对注入的载流子和光场没有限制，阈值电流密度高，只能在液氮和脉冲状态下工作 第二发展阶段——单异质结注入型激光器（二十世纪60年代末） 特点：利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAS P-n结的结区内，降低阈值电流密度 第三发展阶段——双异质结注入型激光器（二十世纪70年代初） 特点：1）窄带隙的有源区两侧的宽带隙材料对注入的载流子有限制作用； 2）有源区为高折射率材料，两侧包层是低折射率材料，形成的光波导能够将光场的大部分限制在有源区内，从而减小阈值电流密度。 第四发展阶段——量子阱激光器（二十世纪80年代初） 半导体物理研究的深入及晶体外延生长技术的发展（包括分子外延MBE，金属有机化学气相沉积MOCVD和化学束外延CBE），使得量子阱半导体激光器研制成功。 2. 半导体激光器的特点 ? 小而轻、转换效率高、省电、寿命长； ? 制造工艺与电子器件和集成电路工艺兼容，便于实现单片光电集成； ? 半导体激光器的激射功率和频率可直接调制； ? 激射波长范围宽。 3. 半导体激光器的应用 光通讯、光存储、固体激光器的泵浦源、激光器武器、3D显示 4. LEDs 的应用 交通指示、照明、背光源、屏幕显示、投影仪光源、汽车、医疗、闪光灯、栽培、防伪。 Chap 2 异质结半导体 异质结的定义：由两种基本物理参数不同的半导体单晶材料形成的晶体界面（过渡层）。 1.异质结的能带图 （1）pN异质结的能带图 φ-功函数，χ-电子亲和势 尖峰的位置与pN结两边的掺杂浓度有关：p区掺杂比N区多时，尖峰位于势垒的顶端，称为高势垒尖峰；p区掺杂比N区少时，尖峰位于势垒的根部，称为低势垒尖峰 （2）nN同型异质结的能带图 2. 异质结的参数 平衡态下内建电场强度 耗尽区内电中性条件 内建电势差 内建电势差分配比 故 (由于带边的不连续，内建电势差不再代表势垒的总高度了。) 空间电荷区宽度 3. 异质pN结的伏安特性 （1）扩散模型 电流－电压方程 对于pN型异质结， 型异质结，△Ec??△Ev都是正值，而且一般远大于k0T，故JnJp，表明通过异质结的电流主要由电子电流组成，空穴电流占很小的比例。 （2）热电子发射模型 忽略由p向N的电子，则电流密度可表示为： （） （3）尖峰隧穿模型 总电流= 热电子发射电流+电子隧穿电流 4. 异质结的特性 （1）高注入比：pn结在正向偏压时，n区向p区注入的电子流和p区向n区注入的空穴流之比。 式中，△E=△Ec+△Ev=Eg2-Eg1，Eg2和Eg1分别表示宽带N区和窄带p区的禁带宽度。Dnp、DpN、Lnp、LpN相差不大，都在同一数量级，而exp(△E/k0T)1，说明注入比很大，即使NDN NAp，注入比仍然很大。 （2）超注入现象 因为EcpEcN，所以将出现，此时被称为超注入。 超注入现象是异质结特有的另一个重要的特性，在半导体异质结激光器中得到重要的应用，它可使窄带区的注入少数载流子浓度有非常大提高，从而容易实现异质结激光器所要求的粒子数反转条件。 （3）异质结对载流子和光场的限制作用 Eg越大，折射率越小。 异质结的双限制效应： Chap 3 半导体激光器 1. 半导体激光器的工作原理 (1)直接/间接带隙材料中的光跃迁过程 （2）跃迁选择定则 直接跃迁： 能量守恒 动量守恒，kL可以忽略不计所以 间接跃迁： 能量守恒≈ 动量守恒≈ 有电子、光子和声子参与的间接跃迁是二级微扰过程，跃迁几率比直接跃迁小得多 接跃迁小得多，因此，间接带隙材料不能用来做发光材料。 （3）光过程 自发辐射：不受外界因素作用，处于高能态的电子自发地、随机地跃迁到低能态，与空穴复合而发射光子，特点为发射的光子能量相同，但方向、位相、偏振等均不相同，是一种非相干光。（LED原理） 受激辐射：是指受激发而处于高能级的电子在外界的诱发作用下，跃迁到低能级与空穴复合而发射的辐射，特点为发射光子的方向、频率、位相、偏振等均与诱发光相同，是一种相干光。在激光器中，诱发高能级的电子向低能级跃迁的光来自自发辐射。。（LD原理） 受激吸收：处于低能级的 HYPERLINK /view/21855.htm \t _blank 原子（El），受到外来 HYPERLINK /view/9448.htm \t _blank 光子的激励下，在满足 HYPERLINK /view/14394.htm \t _blank 能量恰好等于低、高两 HYPERLINK /view/52083.htm \t _blank 能级之差（△E）时，该原子就 HYPERLINK /vie