第四章光探测预案.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 热释电探测器 利用热释电效应制成的探测器称为热释电探测器。 常用热释电材料： 硫酸三月甘肽（TGS）、铌酸锶钡（SBN）、钽酸锂（LT）、钛酸铅陶瓷（PT）、钛酸锆酸铅陶瓷（PZT）等。 热释电探测器是一种利用热释电效应制成的新型热探测器。广泛应用于热辐射和从可见光到红外波段激光的探测，而且在亚毫米波段更受重视，这是因为其他性能较好的亚毫米波段的探测器都要在液氦温度下才能工作。 * 热释电器件是一种利用热释电效应制成的热探测器件。与其它热探测器相比，热释电器件具有以下优点： ①　具有较宽的频率响应，工作频率接近MHz，远超其它热探测器的工作频率。一般热探测器的时间常数典型值在1～0.01s范围内，热释电器件的有效时间常数低达10-4～3×10-5 s； ②　热释电器件的探测率高； ③　热释电器件可以有大面积均匀的敏感面，而且工作时可以不外加接偏置电压； ④　与热敏电阻相比，它受环境温度变化的影响更小； ⑤ 热释电器件的强度和可靠性比其它多数热探测器都要好，易于制作。 * 一、热释电探测器的工作原理 1. 热释电效应 热电晶体材料因吸收光辐射能量、产生温升，导致晶体表面电荷发生变化的现象，称为热释电效应。 热电晶体：－－具有非中心对称的极性晶体 * 热电晶体－－ 极化强度PS与温度关系 温度低 温度高 居里温度 自发极化强度PS：单位面积上的电荷量（C/m2） 温度升高，极化强度减低。 * 恒温T1 电荷中和时间：秒～小时 热“释电”的物理过程 温升到T2 －－束缚电荷减少 极化驰豫时间－－皮秒 －－“释放” 电荷（输出电信号） * 当红外辐射照射到已经极化的热释电晶体时，引起温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。释放的电荷变成电信号输出。如果辐射持续作用，表面电荷将达到新的平衡，不再释放电荷，也不再有电信号输出。因此，热释电器件不同于其他光电器件，在恒定辐射作用的情况下输出的电信号为零；只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。 * 面电极结构：电极置于热释电晶体的前后表面上, 其中一个电极位于光敏面内。 这种电极结构的电极面积较大，极间距离较少，因而极间电容较大，故其不适于高速应用。此外，由于辐射要通过电极层才能到达晶体，所以电极对于待测的辐射波段必须透明。 边电极结构：电极所在的平面与光敏面互相垂直，电极间距较大，电极面积较小，因此极间电容较小。由于热释电器件的响应速度受极间电容的限制，因此，在高速运用时以极间电容小的边电极为宜。 2.热释电探测器的基本结构 * 3. 热释电探测器的工作原理 若在热释电晶体两个相对极板上敷上电极，两极间接上负载RL，由温度变化在负载上产生的电流、电压分别为： dT/dt为热释电晶体温度随时间的变化率，温度变化速率与材料吸收率和热容有关。吸收率大，热容小， 则温度变化率大。 以频率ω变化的辐射所引起的温度变化ΔT(ΔT=ΔTejωt） * 如果热释电探测器跨接到放大器输入端，则其可表示为如图所示的等效电路 Cd，Rd为热释电探测器的电容、电阻; CA和RA为放大器的电容、电阻。 由等效电路可得热释电器件的等效负载阻抗为： R＝Rd//RA，C＝Cd+CA i 输入到放大器的瞬时电压为: * 得电压响应度为： 式中，τc＝RC为电路时间常数，R=Rd∥RA，C=Cd＋CA。τH =H/G为热时间常数。τc、τH的数量级为0.1～10s左右。A为光敏面的面积，α为吸收系数，ω为入射辐射的调制频率。 得到电压有效值为： * (1) 当入射为恒定辐射，即ω＝0时，Rv=0，说明热释电器件对恒定辐射不灵敏； (2) 在低频段ω1/τH或1/τc时，灵敏度Rv与ω成正比，为热释电器件交流灵敏的体现。 (3) 当τc≠τH时，通常τc＜τH，在ω＝1/τH~ 1/τc范围内，Rv与ω无关；（线性工作区域） (4) 高频段（ω1/τH、 1/τc）时，Rv则随ω-1变化。 特别注意：恒定光辐射 高频段应用 * 图给出了不同负载电阻RL下的灵敏度频率特性，由图可见，增大RL可以提高灵敏度，但是，频率响应的带宽变得很窄。应用时必须考虑灵敏度与频率响应带宽的矛盾，根据具体应用条件，合理选用恰当的负载电阻。 不同负载电阻RL下的灵敏度频率特性 二、 热释电器件的类型 1. 硫