半导体集成电路9章上介绍.ppt

半导体集成电路 南京理工大学电光学院 第九章 基本CMOS模拟电路 CMOS基本模拟电路单元 MOS模拟开关 有源电阻 电流沉（阱）和电流源电路 电流镜电路 CMOS基本模拟放大器 CMOS差分放大器 CMOS基准电压源和电流源 MOS模拟开关 C为控制电压。 要求输入、输出电压相等，因此晶体管工作在深饱和区。 NMOS模拟开关的非理想模型 最重要的特性是其导通电阻Ron和关断电阻Roff。理想情况下，Ron为0，Roff为无穷大。 NMOS模拟开关的非理想模型： 一些主要参数及特性 沟道电流 导通电阻 导通电压-电流特性 导通电阻与VGS之间的关系 NMOS模拟开关的问题 动态范围小 时钟馈通效应：当控制信号发生高频率变化时，寄生电容CGS和CGD使NMOS的栅极分别和源/漏耦合，产生输出失调。 改善方法：采用CMOS模拟开关。 CMOS模拟开关的电阻-VSD特性 大模拟信号，使一管关断但另一管充分导通。 模拟信号幅值小于控制电压减去阈值电压，两管导通。 模拟信号等于控制电压减去阈值电压，至少一管导通。 有源电阻 电阻值不精确 使版图面积大大缩小 栅漏相连，保证了器件工作在饱和区。其电流为： 交流小信号模型和电压-电流特性 小信号电阻： 电流沉与电流源电路 电流沉与电流源电路都是电流源电路，只是电流方向不同。其电流值受栅电压控制，而与源、漏两端电压无关。 MOS管必须工作于饱和区。 输出电阻： 同样，电流源电路要正常工作，必须满足： 这样的电流沉/电流源电路结构简单。但是有两方面需要改进： 增加小信号输出电阻，使输出电流更稳定。 减小Vmin的值，使输出电压范围更宽。 改进方法：采用Cascode（共源共栅）结构。 电流源输出电阻提高技术 电流源输出电阻提高技术——Cascode技术 电流镜电路 基本原理：如果两个相同的MOS管的栅源电压相同，则沟道电流也相同。 两管均工作在饱和态。 误差因素 MOS晶体管几何尺寸不匹配。 *MOS晶体管阈值电压不匹配。解决方法：合理布局，例如中心双对称布局。 沟道长度调制效应。 NMOS基本电流镜仿真结果 结果显示，输出电流随VDS2近似线性增加。 Wilson 电流镜 如果io增加，则通过M2的电流也增加。M1、M2的镜像关系使输入电流增加。如果输入电流不变，则M3的栅电压减小，抑制输出电流的增加。 NMOS Wilson电流镜仿真结果 CMOS基本放大器 放大器是集成电路的最基本单元电路之一； 用于提高模拟电路的驱动能力，也可以应用于于反馈系统； 基本CMOS模拟放大器，包括共源、共栅、共漏及Cascade放大器； CMOS共源放大器（1） 共源放大器是将MOS晶体管的栅源电压变化转换成小信号漏极电流，小信号漏电流流过负载电阻产生输出电压。 CMOS共源放大器（2） CMOS共源放大器（3） 由于NMOS在线性区的跨导会下降，所以我们必须保证NMOS工作在饱和区 增加NMOS的W/L或减小源漏电流或增大RD的压降都可以提高共源放大器的小信号增益； 常采用有源负载或电流源作为负载，以增加等效电阻值，增加输出电压摆幅 CMOS共漏放大器（1） 对于共源放大器来说，要获得高电压增益，必须提高负载电阻 ; 如果共源放大器驱动低阻抗负载工作时，为了减小信号电平的损失，必须在共源放大器后级引入缓冲器，一般采用共漏放大器作为缓冲器，所以共漏放大器又称为源极跟随器。 共漏放大器利用栅极接收输入信号，利用源极驱动负载，使源极输出电压跟随栅极电压。 CMOS共漏放大器（2） 当VinVTN时，NMOS M1截止，输出电压Vout等于零 ; 随着输入电压的增大并超过VTN，M1由导通进入饱和工作状态，Vout开始随着输入电压的增加而增加 ; 进一步增大Vin，Vout将跟随Vin变化，输入和输出电压之间差值为VGS CMOS共栅放大器（1） 在共源放大器和共漏放大器电路中，输入信号都是加在MOS晶体管的栅极，根据MOS晶体管的特性，将输入信号加在源极也是可以实现放大功能的，而共栅放大器就是利用这个特性所实现的 当输入电压Vin较大时，即Vin≥Vb-VTH时，NMOS晶体管M1处于关断状态，输出电压Vout等于VDD CMOS共栅放大器（2） 三种基本放大器比较 CMOS共源共栅放大器（1） 共栅放大器将输入电流信号转换成输出电流，而共源放大器则将输入电流信号转换成输出电压 如将共源放大器和共栅放大器级联使用则组成共源共栅放大器，即级联三极管（Cascode）放大器 NMOS M1产生与输入电压Vin成正比的小信号漏电流，M2将漏电流转换成输出电压Vout，所以M1为输入器件，M2为共源共栅器件。 CMOS共源共栅放大器（