第1篇-1二极管(FX)介绍.pptVIP

§1 半导体二极管 二极管的封装 二极管的结构 二极管伏安特性：  1. 单向导电性 三、 二极管基本应用电路分析计算 二极管电路计算模型 大信号模型 (图解法） 线性化模型（非线性器件进行线性化处理） （a）理想化模型 （b）恒压降模型 小信号动态模型 全波整流电路 §2 半导体材料、PN结与二极管机理分析 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 一. 本征半导体（单晶硅） 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 根据材料的导电能力，可以划分为导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 当温度升高或受到光的照射时，部分电子挣脱原子核的束缚，而成为自由电子。同时在原来位置出现了一个空位，称为空穴。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 本征激发： 电子空穴对 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 与本征激发相反的现象——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一 大特点。 半导体中的载流子可分为：自由电子和空穴（带正电性，沿着共价键做依次递补的运动）。 半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 E ＋ － +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴移动示意图 * 第一篇 电子器件基础 第一章 电子器件的特性与模型 第二章 半导体器件的工作机理 §1.2 半导体材料与PN结机里 §1.1 半导体二极管特性与计算 §1.3 晶体三极管特性与基本原理 §1.3 场效应管特性与基本原理 学习要点： 二极管，三极管，场效应管的基本特性； 电子器件的外特性（端电压与电流关系）； 重点：利用外特性的电路计算，三极管的三个工作区间 场效应管与外特性关联（判别） 了解半导体器件的基本工作机理； PN结单向导电性，三极管电流放大机理， 场效应管（绝缘栅型和结型）的基本机理 了解半导体器件的结构、特性、参数和制造工艺等 一、二极管的结构与类型 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路与计算 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 小功率二极管 大功率二极管 稳压 二极管 发光 二极管 一、二极管的结构与类型 点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。 面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。 平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。 按材料分类有：硅二极管和锗二极管 半导体器件与特性（二极管）实例 实物 符号 特性 实际电路 二、二极管的伏安特性曲线及电流方程式 二极管的主要特性就是PN结的单向导电特性，可以用电流方程式和伏安特性曲线来描述。 （一）二极管的电流方程式 表示二极管的反向饱和电流，即反偏时少子作漂移运动所形成的漂移电流； 表示二极管的外加电压； 是温度电压当量，常温下 (二)伏安特性曲线 1、正向特性 2、反向特性 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）增加 在电流不变情况下管压降u下降 反向饱和电流IS增加，U(BR)下降 1〉图解法（两部分伏安特性交点） 作非线性电阻伏安特性曲线; 3) 交点解得非线性电阻的电压电流值. 开路电压: 短路电流: 连直线 2) 作线性电路部分的伏安特性曲线; 1. 作图法原理 非线性元件伏安特性: 线性部分电路方程: (静态工作点计算) 大信号模型 图解法常用于确定二极管在直流工作状态下的电压和电流。 2〉等效模型法（等效为固定电压源） 硅材料三级管 锗材料三级管 US足够大； 正向电流。 恒压降模型 例1： 二极管正向压降 求： 若 ，重求 解： 二极管左边等效简化，电路为 正向压降