电磁兼容培训胶片(地线干扰与对策)东技术方案.ppt

杨继深 2000 第二章 地线干扰与接地技术 为什么要地线 地环路问题与解决方法 公共阻抗耦合问题与解决方法 各种接地方法 电缆屏蔽层的接地 安全地 信号地 地线引发干扰问题的原因 地线电位示意图 导线的阻抗 导线的阻抗 金属条与导线的阻抗比较 地线问题－地环路 隔离变压器 光隔离器 共模扼流圈的作用 平衡电路对地环路干扰的抑制 地线问题－公共阻抗耦合 接地方式种类 单点接地 串联单点、并联单点混合接地 线路板上的地线 长地线的阻抗 多点接地 混合接地 屏蔽电缆的接地 电场屏蔽的电缆接地 电缆屏蔽层接地位置 低频磁场对电缆的干扰 抗磁场干扰的电缆接地方式 双绞线对磁场干扰的抑制 抑制磁场干扰的试验数据 抑制磁场干扰的实验数据 C与D的实验数据说明 G与H的实验数据说明 设：总电磁场为1000，其中磁场为999，电场为1， 双绞线的磁场抑制效果为：20lg(1000/1.3) ?58 dB 单端接地的屏蔽层的效果：20lg(1.3/0.3) ?13 dB 双绞线 单端接地屏蔽层 * * 220V 0V + + + + + 定义：信号电流流回信号源的低阻抗路径 V = I R 地线电压 地线是等电位的假设不成立 电流走最小阻抗路径 我们并不知道地电流的确切路径 地电流失去控制 ? 2mV ?200mV 2mV ~ 10mV 10mV ~ 20mV 20mV ~ 100mV 100mV ~ 200mV Z = RAC + j?L L ? 1?H/m ? ? = 1 / (? f ?r ?r)1/2 RAC= 0.076r f1/2 RDC r 电流 深度 0.37I I 趋肤效应 高频时，导线的直径作用减小 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 S / W 金属条阻抗/导线阻抗 IG VG VN 地环路 I1 I2 屏蔽层只能接2点！ C2 VG 1 2 C1 屏蔽 CP VG VS VN RL 发送 发送 接收 接收 RL RL VG VS VS VG 光耦器件 Cp Vs R1 R1 RL L VG IN1 IN2 IS VS + VN ? = R1 / L VN / VG RL/（RS + RL） M f VG RS1 VS1 RS2 RL2 RL1 VS2 IN1 IN2 IS VL 电路1 电路2 地电流1 地电流2 公共地阻抗 V ~ ~ ~ 改进1 改进2 信号接地方式 并联单点接地 串联单点接地 混合接地 多点接地 单点接地 1 2 3 1 2 3 串联单点接地 优点：简单 缺点：公共阻抗耦合 并联单点接地 优点：无公共阻抗耦合 缺点：接地线过多 I1 I2 I3 I1 I2 I3 A B C A B C R1 R2 R3 模拟电路1 模拟电路2 模拟电路3 数字逻辑控制电路 数字信息处理电路 继电器驱动电路 马达驱动电路 噪声 模拟 数字 设备 Z0 = (L/C)1/2 R R L L C C FP1 = 1/2?(LC)1/2 ZP = (?L)2/R RAC RDC 串联谐振 并联谐振 R1 R2 R3 L1 L2 L3 电路1 电路2 电路3 地线阻抗一定保持很小， 避免公共阻抗耦合 镀银（减小表面电阻） 良好搭接（减小地线阻抗） 宽金属板（减小电感） ~ Vs 地电流 Rs ~ Vs 安全接地 Rs 安全接地 地环路电流 V 0v ~ ~ ~ ~ H E 磁场屏蔽 电场屏蔽 高频低磁波屏蔽 电缆接敏感电路的信号地，目的是 将屏蔽层的电位保持在地电位。 干扰频率较低 干扰频率较高 单点接地（否则出问题） （在哪里接地？） 多点接地 （间隔?/20接地） ~ ~ ~ ~ ~ ~ 屏蔽双绞线 屏蔽双绞线 屏蔽双绞线 屏蔽同轴线 屏蔽同轴线 屏蔽同轴线 VN VN ＝ ( d ? / dt ) = A ( dB / dt ) 磁通? 回路面积A 感应电压 当面积一定时 减小面积可以减小噪声 VS VS VS 只有两端接地的屏蔽层才能 屏蔽磁场 ～ 理想同轴线的信号电流与回流等效为在几何上重合，因 此电缆上的回路面积为0，整个回路面积仅有两端的部分 ～ 100 1M 1M 1M 100 100 每米18节 (A) (B) (D) (E) (C) 0 27 13 13 28 1M 1M 100 100 100 1M 1M 1M 100 100 每米18节 (F) (G) (I) (J) (H) 80 55 70 63 77 1M 1M 100 100 设：总电磁场为1000，其中磁场为999，电场为1， 双绞