第7章正弦平面电磁波介绍.ppt

 设媒质的介电常数为ε、 磁导率为μ、 电导率为σ， 对于线性(LinEar)、 均匀(HomogEnEouS)和各向同性(ISotropic)媒质， ε和μ都是标量常数。 除非特别说明， 一般我们均假定媒质是线性、 均匀和各向同性。 在线性、 均匀和各向同性的无源媒质中， 麦克斯韦方程为 对上述方程（2）求旋度， 得 式（6-1-2）和式（6-1-3）称为一般波动方程(GEnEral WavE Equation)。 这些方程支配着无源均匀导电媒质中电磁场的行为。 在二阶微分方程中， 一阶项的存在, 表明电磁场在导电媒质中的传播是有衰减的（有能量损耗）。 因此导电媒质（Conducting MEdium）称为有耗媒质（LoSSy MEdium）。  当媒质为完全电介质(PErfEct DiElEctric)或无耗媒质(LoSSlESS MEdium)， 即媒质的导电率σ=0时， 上述波动方程变为 对于时谐电磁场， 将场量的相量形式代入式 （6-1-4）可得  ▽2E+k 2E=0 ▽2H+k 2E=0 （6-1-5） 式中k 2=ω2με （6-1-6） 式（6-1-5）称为亥姆霍兹方程， 也称为无源、 无耗媒质中时谐电磁场的波动方程。  区域Ⅱ中只有透射波，其电场和磁场分别为 式中Et0为z=0处透射波的振幅，k2和η2为媒质2的相位常数和波阻抗，且有 考虑到z=0处分界面磁场强度切向分量连续的边界条件H1t=H2t，可得 考虑到z=0处分界面电场强度切向分量连续的边界条件E1t=E2t，可得 反射系数和透射系数的关系为 区域Ⅰ(z0)中任意点的合成电场强度和磁场强度可表示为 区域Ⅰ中电场强度和磁场强度的模为(设Ei0=Em为实数) (1) Γ0(η2η1)。 当 时，有 即在离分界面四分之一波长(λ1/4)的奇数倍处为电场波节点和磁场波腹点。 (2) Γ0(η2η1)。此时，电场、磁场的波腹点、波节点位置相反。即电场的波腹点对应于Γ0(η2η1)时的电场的波节点，磁场的波腹点对应于Γ0(η2η1)时的磁场的波节点；电场的波节点对应于Γ0(η2η1)时的电场的波腹点，磁场的波节点对应于Γ0(η2η1)时的磁场的波腹点。 因为Γ=-1~1，所以ρ=1~∞。 当|Γ|=0、ρ=1时，为行波状态，区域Ⅰ中无反射波，因此全部入射波功率都透入区域Ⅱ。 区域Ⅰ中，入射波向z方向传输的平均功率密度矢量为 反射波向-z方向传输的平均功率密度矢量为 区域Ⅰ中合成场向z方向传输的平均功率密度矢量为 区域Ⅱ中向z方向传输的平均功率密度矢量为 并且有 例 6-9 一右旋圆极化波由空气向一理想介质平面(z=0)垂直入射，坐标与图6-13相同，媒质的电磁参数为ε2=9ε0，ε1=ε0， μ1=μ2=μ0。试求反射波、透射波的电场强度及相对平均功率密度；它们各是何种极化波。  解： 设入射波电场强度矢量为 则反射波和透射波的电场强度矢量为 式中反射系数和透射系数为 例 6-10 频率为f=300MHz的线极化均匀平面电磁波，其电场强度振幅值为2V/m，从空气垂直入射到εr=4、μr=1的理想介质平面上，求：  (1) 反射系数、透射系数、驻波比；  (2) 入射波、反射波和透射波的电场和磁场；  (3) 入射功率、反射功率和透射功率。  解：设入射波为x方向的线极化波，沿z方向传播，如图6-13。 (1) 波阻抗为 反射系数、透射系数和驻波比为 (3) 入射波、 反射波、 透射波的平均功率密度为 6.7 均匀平面电磁波向多层媒质分界面的垂直入射 6.7.1 多层媒质中的电磁波及其边界条件 图 6-14 垂直入射到多层媒质中的均匀平面电磁波 区域1中的入射波： 区域1中的反射波： 区域1(z≤0)中的合成电磁波： 区域2(0≤z≤d)中的合成电磁波： 区域3(z≥d)中的合成电磁波： 为了求得这四个未知量，利用z=0和z=d处媒质分界面上电场和磁场的切向分量都必须连续的边界条件： 6.7.2 等效波阻抗 媒质中平行于分界面的任一平面上的总电场与总磁场之比，定义为该处的等效波阻抗Z(z)，即 此时我们已经假设x方向极化的均匀平面电磁波沿z方向传播。 1. 无界媒质中的等效波阻抗