LED原理演进和发展研讨.ppt

* LED的原理、演进和发展 LED的原理 1920年，法国科学家O.W.LOSSOW在研究SIC检波器时，首次观察到了半导体发光的现象。而第一个商用二极管产生于1960年。 LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 LED发光二极管是由III-IV族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，起核心是PN结。因此它具有一般P-N结的特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带与介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 Iforward (电子) 电压 fvisible (光子) 正极 负极 LED的原理 1．极限参数的意义 （1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的 电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。 （2）最大正向直流电流Ifm：允许加的最大的正向直流电流。 超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值， 发光二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。 低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效 率大大降低。 LED的原理 （1）光谱分布和峰值波长： 某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示。 由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ的光强最大，该波长为峰值波长。 LED的原理 （2）发光强度IV： 发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指 其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上的辐射强度为 （1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。由于一般 LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。 （3）光谱半宽度Δλ: 它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两 波长之间隔. LED的原理 （4）半值角θ1/2和视角： θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。半值角的2倍为视角（或称半功率角） 图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线（法线）AO的坐标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。 LED的原理 （5）正向工作电流If： 它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用 中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。 （6）正向工作电压VF： 参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。 一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF 在1.4～3.5V。在外界温度升高时，VF将下降。 LED的原理 （7）V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系可用图4表示。 在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR10μA以下。 LED的原理 LED的演进和发展 最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λ=650nm），在驱动电流为20毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光（λ=555nm），黄光（λ=590nm）和橙光（λ=610nm），光效也提高到1流明/瓦。 到了80年代初，出现了GaAlAs的LED光源，使得红色LED的光效达到10流明/瓦。 90年代初，发红光、黄光的GaAlInP和发绿