第二讲碲化镉薄膜太阳电池精编.pptVIP

3.2.5碲化镉太阳能电池成本估算 3.2.6.碲化镉太阳能电池优势与缺陷 缺陷 第一，碲原料稀缺，无法保证碲化镉太阳能电池的不断增产的需求。 第二，镉作为重金属是有毒的。碲化镉太阳能电池在生产和使用过程中的万一有排放和污染，会影响环境 产品合格证 由于光伏组件要长时间在比较恶劣的环境中使用，因此必须保证其能够使用大约20年的时间。为了达到这一标准，国际标准协会（IEC，国际电子技术委员会）设计了全球范围有效的国际标准。 关于薄膜组件的标准是IEC61646，即《地面用薄膜光伏组件——设计合格和型号标准》。这个标准于1996年公布，最初设置该标准是针对非晶硅太阳电池组件。 组件在完成IEC61646检验后，还需要分别进行大量的更加细致的测试才能达标。 组件测试 性能试验 标准测试条件下的功率输出 标准运行条件下的功率输出 低光条件下的功率输出（20%） 耐久性测试 长时间户外暴露 灯光照射 温度冲击 温—热试验 机械试验 机械负荷 扭曲试验 冰雹试验 电学试验 绝缘试验 浸水试验 注： 成本计算依据①电池结构为玻璃/SnO2：F /CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe：Cu/Ni ②碲化镉薄膜的厚度为5微米③转换效率7%， 1MW碲化镉薄膜太阳能电池所消耗的材料的成本 CdTe太阳电池的制作过程，通常会促进CdTe与CdS界面之间的扩散现象，而在界面处形成CdTe1-xSx的合金成分。 这样的扩散反应，会导致CdS层的能隙的降低，使得其对光线的穿透性降低，而影响电池效率。不过这种效应，可利用CdCl2处理来降低 另外一个可以降低CdS层的吸收的方式，是将CdS与ZnS混合，以增加能隙的大小。但这要配合使用Cd2SnO4的TCO层，及使用Zn2SnO的HRT层，才能得到高效率的CdTe太阳电池。 与CdTe不同的是，CdS薄膜在非化学计量比的时候，本身是N型。 CdS薄膜可以用与CdTe同样的方法沉积。因为它具有与CdTe非常相似的性质。 出于产业化的考虑，下面几种技术的研究受到强烈的关注： CdS薄膜沉积进技术 升华/凝结，如窄间隔升华法和热壁升华法。 电沉积（电镀） 丝网印刷 另外一种方法尤其适合CdS——化学浴沉积（CBD化学镀）。 这种方法是在80℃左右的温度下，用含有Cd与S的亚稳态溶液反应，浸泡在溶液中的衬底表面形成比较薄的CdS薄膜。其化学反应式如下： 这样形成的CdS薄膜附着比较紧，而且，即使在膜较薄的情况下也很均匀。 但有一个潜在的缺点，在CdTe与CdS之间形成的突变结时，CdS与CdTe之间有明显的晶格失配。 化学浴沉积（Chemical bath deposition）是指将经过表面活化处理的衬底在沉积液中，不外加电场或其它能量，在常压、低温（30~90℃）下通过控制反应物的络合和化学反应，在衬底上沉积薄膜的一种薄膜制备方法。 3.2.2.4、p-CdTe层 CdTe层跟CdS一样具有多晶的结构，但通常使用p-型掺杂。 它的能隙值为1.45eV，正好位于理想太阳电池的能隙范围之间。 CdTe也具有很高的吸光系数，所以为吸收层的最佳材料。 CdTe层的厚度一般在2～8um之间。 大部分CdTe薄膜的沉积技术，都依赖于下述一个或两个性质： 如果把CdTe在真空状态下加热到600℃，将会分解出等量的Cd和Te，剩余的残留物仍然是符合化学配比的CdTe。 把凝结在衬底上的CdTe保持在400℃以上（或者在沉积之后加热到这个温度），得到的化学计量比的化合物会是稳定的固相。 这些性质使得生产CdTe薄膜相对容易，也更加适合制作薄膜太阳电池：只要衬底温度足够高，不必在意符合化学配比。 CdTe或者Cd+Te,或者有Cd和Te元素的可分解的化合物都可以作为原始料。 到达衬底上的Cd和Te化学计量比即使并非1:1，只要衬底在实际的沉积期间或者之后被加热到400～500℃或者更高，就会有符合（或接近）化学计量比的CdTe凝结。 在更高的温度下，粘附系数减小（重升华）。由于自然形成的微小化学计量失配，造成Cd缺失，多半成为空位，从而获得P型摻杂效应。不用其他摻杂手段。典型的摻杂水平大约1015cm-3。 如果薄膜在较低的温度下沉积，那么就没有必要照顾化学计量比，但是可以通过加热形成符合化学计量比的化合物。这就使得有许多薄膜沉积技术可以应用。 唯一的要求是去除那些会危及本身P型摻杂和载流子寿命的干扰杂质。 工业上得到高纯度（达到99.999%）的这些元素和化合物是可能的，因为通过标准的冶金过程可以很容易把Cd和Te元素纯化。 3.2.2.5、背面电极接触 背面电极通常是使用Ag或Al，它提供CdTe电池的一个低电阻连接，但由于在p-CdTe上要形成好的欧姆接触比较困难。因为背