电子工程物理基础(4-1)2014介绍.ppt

2 中温强电离区 电中性方程 两边取对数,并整理 载流子浓度: 只含施主 本征激发不可忽略 电中性方程 3 过渡区 n0---多数载流子 p0---少数载流子 只含施主 （全电离） 4 高温本征区 本征激发产生的载流子远多于杂质电离产生的载流子 电中性方程 载流子浓度: 只含施主 温 区 低温 中温 高温 费米能级 载流子浓度 以中温为例，考察EF~ND ND一定,EF~T T一定, EF~ND 低温 中温 高温 结果分析 Si 、Ge : Nc~1019/cm3 GaAs: Nc~1017/cm3 简并情况 电子和空穴的分布规律不再能用波尔兹曼分布来近似，而必须采用费米-狄拉克分布。 类似的 费米积分 例1.计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。（对于硅材料：ND 9×1015cm-3；NA＝1.1×1016cm-3；T＝300k时 ni 1.5×1010cm-3） 例2．制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。① 设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的EF位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和硅衬底导带中电子浓度。 ②设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6×1015 cm?3，计算300K时的EF位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2×1015 cm?3，计算300K时EF位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。 （已知本征载流子浓度T 300K时，ni 7.8 ×1015 cm?3, T 500K时，ni 2 ×1015 cm?3. ） 解 （1） ，即此时为弱简并 Sb为高掺杂，未完全电离： ∵ 其中 又 （简并时的n0表达式 ） 则 （2） 非简并，全电离 （3） 非简并，补偿后全电离 （4）500K ，过渡区 补充作业： 1．掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和磷的浓度。 2．求室温下掺锑的n型硅，使EF＝ EC＋ED /2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。已知 教材p.162，15.一块补偿硅材料，已知掺入受主杂质浓度NA 1×1015cm-3,室温下测得其费米能级位置恰好与施主能级重合，并测得热平衡时电子浓n0 5×1015cm-3 。已知室温下硅本征载流子浓度ni 1.5×1010cm-3。 试问： （1）热平衡时空穴浓度为多少？ （2）掺入材料中的施主杂质浓度为多少？ （3）电离杂质中心浓度为多少？ （4）中性杂质中心浓度为多少？ * * * *能态密度： 价带空穴浓度（Hole concentration p0 *分布函数fV E） 空穴占据能态E的几率，即能态E不被电子占据的几率 *价带空穴浓度p0 价带的有效状态密度Nv 价带顶部EV态被空穴占据的几率 a EF 的高低反映了半导体中载流子的填充水平。 EF越靠近导带底，表明导带中的电子浓度越高; EF越靠近价带顶，表明价 带中的空穴浓度越高. b n0 与p0的乘积与EF无关 c 满足电中性关系 Charge Neutrality Relationship 分析 Q+ 空间正电荷浓度 Q- 空间负电荷浓度 d 非平衡载流子与准费米能级的关系 准费米能级 电子和空穴准费米能级的差反映了半导体偏离平衡态的程度. 非平衡载流子 平衡 第4章 半导体中电子的状态 4.1 电子的分布 4.2 载流子的调节 4.3 载流子的复合 4.4 载流子的散射 4.5 载流子的漂移 4.6 载流子的扩散 4.7 载流子的完整运动 热、光、电、磁、声——外部作用 4.2 载流子的调节 载流子的调节 人为掺杂质——内部作用 平衡状态 n电子 p空穴 n电子 p空穴 n电子 p空穴 本征半导体 n型半导体 p型半导体 一. 本征半导体 ——没有杂质和缺陷的纯净的半导体 Intrinsic Semiconductor 本征激发: T 0K时,电子从价带激发到导带,同时价带中产生空穴. n0 p0 ni ni -本征载流子浓度 n0 p0 结论:本征半导体的费米能级Ei基本位于禁带中央. 本征半导体的费米能级EF一般用Ei表示 讨论 Intrinsic carrier concentration ni  本征载流子浓度  结论:本征载流子浓度ni随温度升高而急剧增加. lnni~1/T基本是直线关系，斜率由Eg决定。 *从si的共价键平