半导体器件开发简要流程.doc

半导体器件开发简要流程（BJT、FRD、MOSFET、IGBT、Thyristor etc.） 半导体器件开发简要流程（BJT、FRD、MOSFET、IGBT、Thyristor etc.） 1.项目可行性评估? ? 项目是否能够取得成功，前期的评估起到决定性作用，项目需要重点评估的方面包括：▲产品的国内外市场需求及市场前景、产品的生命周期评估：市场需求决定了产品生产规模及利润水平；产品生命周期确定了产品今后还能持续发展的前景； ▲开发者所具备的优势：产业政策、资金技术、配套及人才等优势； ▲把握核心竞争力：资金、技术、人才（半导体产业为资金、技术、人才密集型产业）。 2.项目方案及技术评估? ? 项目生产开发所采取的模式、项目运作过程及计划制定、实施：▲确定器件设计及工艺生产实施方案：技术引进还是自主开发、自己生产还是外协代工等； ▲详细评估器件设计及工艺关键技术及难点：确保器件开发及工艺生产均能按计划成功实施； ▲确保器件设计及工艺实施后产品的成本优势：产品性能、价格必须具备竞争力。 3.器件及工艺流程设计? ? 方案确定后器件及工艺工程师便可以联合开展设计相关工作：▲现有目标工艺流程及特定器件最佳流程的匹配：现状和目标总是有差距的； ▲器件设计参数调整：设计仿真优化器件参数，静态、动态所有参数间折中应对不同应用； ▲工艺流程优化：工艺流程最优化与工艺设备、加工时间、加工费用等优化。 器件虚拟制造：（MOSFET、IGBT工艺流程及器件结构设计）4.器件版图设计? ? 根据器件及工艺设计的结果，可以开始进行版图设计：▲版图布局及布线，功率器件和IC版图类似，也涉及布局布线：例如栅极BUS的布局； ▲版图的绘制及设计规则检查：根据工艺及器件本身要求，需要满足设计规则（DRC）； ▲根据不同的工艺线及光刻匹配要求完成版图提交及检查（Emaskview）、完成掩模版制作。 器件版图设计：（FRD、MOSFET、IGBT版图设计） 5.工艺流片及芯片测试? ? 工艺生产线根据工艺条件加工芯片，并给出测试结果：▲工艺线根据需要可能先开发单步??艺，无问题后进行工程流片； ▲工艺过程监测及WAT测试，完成后进行芯片（CP）测试及分析； ▲根据不同的失效原因进行失效分析及设计下一步工艺分组实验（DOE）。 工艺及失效分析（部分分析手段）： 6.封装、终测及可靠性测试? ? 芯片测试合格后，需要封装后进一步测试评估：▲制定封装规范：根据应用需要制定封装形式及打线要求等； ▲封装后进行成品测试：进行静态参数、动态测试测试和可靠性测试； ▲如果出现成品失效，根据不同的失效原因进行失效分析；根据结果反馈到上面的设计流程。 成品测试及失效分析（部分测试及分析手段）：