在漏磁法探伤中霍尔传感器电子电路设计研讨.docVIP

课程设计说明书 第 PAGE III页 探伤式传感器应用电路设计 摘 要 霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。　霍尔效应是磁电效应的一种，通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。采用霍尔传感器，检测结果直接以电信号输出，经放大器放大，输入到报警电路，进行报警。霍尔器件是一种采用半导体材料制成的磁电转换器件。如果在输入端通入控制电流IC，当有一磁场B穿过该器件感磁面，则在输出端出现霍尔电势VH。在磁场力作用下，在金属或通电半导体中将产生霍耳效应，其输出电压与磁场强度成正比。基于霍耳效应的霍耳传感器常用于测量磁场强度，其测量范围从10Oe到几千奥斯特。尽管人们早在1879年就知道了霍耳效应，但直到20世纪60年代末期，随着固态电子技术的发展，霍耳效应才开始被人们所应用。 关键字：霍尔传感器， 霍尔效应，无损探伤，报警电路 目录  TOC \o 1-3 \h \z \u  HYPERLINK \l _Toc436515722 1 绪论  PAGEREF _Toc436515722 \h 1  HYPERLINK \l _Toc436515723 1.1 霍尔传感器发展状