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GMI Sensor Principle Application
巨磁阻抗传感器
的原理及应用介绍 ;巨磁阻抗效应(GiantMagneto-Impedance effects, GMI)是指软磁材料的交流阻抗随外加磁场的改变而发生显著变化的现象,产生GMI效应的主要原因是高频电流的趋肤效应。GMI磁传感器采用交流驱动,具有灵敏度高、饱和磁场低、响应快和稳定性好等优点。利用GMI非晶丝材料可设计成高灵敏度的磁场传感器,用于微弱磁场、电流、位置、生物分子浓度等物理量的检测,在地磁场测量、地磁匹配导航及多种弱磁传感器中有着广泛的应用,具有很大的应用前景和研究价值。;传感器基础材料—非晶丝
The MI Sensor makes use of the Giant Magneto-Impedance effect of magnetic amorphous metal wire.;材料的GMI效应可以用样品阻抗Z随外加磁场Hex变化的Z-Hex曲线来表征,但这样的曲线不能明确反映出磁阻抗效应的强弱程度。特别是由于样品的测量长度无法严格控制,不同样品的Z-Hex无法相互比较,因此可选用阻抗的相对变化值随外加磁场的变化曲线来表征,用没有外加磁场时的样品阻抗Z0作为“阻抗的相对变化量”的变化基准,即DZ/Z0=(Z-Z0)/Z0,其变化率与样品本身的长度无关。因为测量电流的频率不高,测量导线的发射并不严重,因此采用四点法进行测量。;图所示为四点法测量示意图。其中1为亥姆霍兹线圈,提供匀强磁场;2是本设计使用的非晶丝样品;3是霍尔传感器,用于测量磁场强度。用示波器分别接入电阻和非晶丝两端以显示电压变化。;
某实验利用国内研制的CoFeNbSiB合金非晶丝作为敏感元件。在室温下材料对温度的变化不敏感,利用图示的测量方法,在室温下进行测量。图2所示为在不同频率的激励信号下样品的阻抗随磁场变化的曲线,在0.25mT的磁场作用下,其阻抗都将达到最大值,当激发电流频率为10MHz时,其阻抗值为最大;CHARACTERIZATION OF MAGNETO-IMPEDANCE THIN FILM MICROSTRUCTURES;CHARACTERIZATION OF MAGNETO-IMPEDANCE THIN FILM MICROSTRUCTURES;CHARACTERIZATION OF MAGNETO-IMPEDANCE THIN FILM MICROSTRUCTURES;非晶材料磁阻抗特性测量仪简介
一、主要技术参数
1.??系统控制主机:内含可1路可调恒流源(0.3mA~50mA)、2路4 1/2数字电压表和1块USB接口24bit数据采集卡;功耗:50W。
2.??自动扫描电源:0~±5A,扫描周期8~80秒。
3.??亥姆霍兹线圈:0~±160Gs。
4.??测量专用检波与放大电路技术参数:输入信号动态范围:±30 dB;输出电平灵敏度:30mV / dB;,输出电流:8mA;,转换速率:25 V /μs;相位测量范围:0~180°;相位输出时转换速率:30MHz;响应时间:40 ns~500 ns;测量夹头间隔10mm。
5.??计算机:PC兼容机,Windows XP、Windows 7操作系统。 ?
6.??数据采集软件:运行环境Windows XP、Windows 7操作系统。;?Within its Helmholtz coils, this device will generate a magnetic field with optional settings or a
space with zero magnetic field.
?It uses ultra-high sensitivity MI sensors to measure the magnetic field.
?Three-axis Helmholtz coils controlled by computer are used to generate the magnetic field.;脉冲电流驱动
When pulse electric current is passed to amorphous metal wire, the wire impedance changes significantly in response to the strength of the imposed magnetic field.
This phenomenon is called Giant Magnetoimpedance Effect”;微型MI元件设计
Consists of a micro-pickup coil wrapped around the am
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