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镓铝砷半导体材料与器件 ;;三、 GaAlAs高亮度红色发光二极管;2、发光二极管的分类;GaAlAs高亮度红色发光二极管;高亮度红色发光二极管必须采用直接跃迁材料,，如GaAlAs，当Ga1-xAlxAs中Al的组分x≥0.4时，能带结构由直接跃迁型转变成间接跃迁型。
因此GaAlAs发光效率高, 而且不同组份的GaAlAs 材料的晶格常数很接近,易于加工。
;4、构造及工作原理
;GaAlAs双异质结发光效率高的原因：; 下限制层 发光层 上限制层;四、光开关;;;2、光开关的分类
;;;其介电常数的平方根接近其实际的折射率，使用行波电极时容易实现光波与微波的速度匹配；
不易受DC漂移及光损伤的影响；
随着制作工艺的日趋成熟，GaAs/GaAlAs光波导的传输损耗已小于0.2dB/cm甚至更低；
这类材料同样具备良好的电光特性，在1～12pm的波长范围内高度透明。
;;定向耦合型光开关; 电光定向耦??器的τ?V曲线
;;参考文献：;【14】对GaAlAs_GaAs太阳电池结构的一点新看法
【15】二元化合物半导体的晶格动力学和热力学性质的第一性原理研究
【16】高效率AlGaAs、GaAs太阳电池
【17】红外光电子学中的新族——量子阱红外探测器
【18】化合物半导体器件与电路的研究进展
【19】基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的热光伏电池研究进展
【20】基于GaAs/GaAlAs条形光波导的定向耦合器分析
【21】激光隐身材料的研究现状及其发展趋势
【22】喷射成形SiAl电子封装材料的制备及组织性能研究
【23】喷射成形SiAl电子封装材料的制备及组织性能研究
【24】新型GaAs/GaAlAs非对称量子阱红外光电导探测器
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