微电子工艺原理-第4讲3薄膜工艺化学气相淀积课程方案.pptVIP

第六讲 薄膜工艺 之化学汽相淀积一;主要内容;化学气相沉积合成方法发展;化学气相沉积的古老原始形态可以追朔到古人类在取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层。 作为现代CVD技术发展的开始阶段在20世纪50年代主要着重于刀具涂层的应用。 从20世纪60～70年代以来由于半导体和集成电路技术发展和生产的需要，CVD技术得到了更迅速和更广泛的发展。 ;CVD技术不仅成为半导体超纯硅原料—超纯多晶硅生产的唯一方法，而且也是硅单晶外延、砷化镓等Ⅲ～Ⅴ旋半导体和Ⅱ～Ⅵ旋半导体单晶外延的基本生产方法。 在集成电路生产中更广泛的使用CVD技术沉积各种掺杂的半导体单晶外延薄膜、多晶硅薄膜、半绝缘的掺氧多晶硅薄膜；绝缘的二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃薄膜以及金属钨薄膜等。 在制造各类特种半导体器件中，采用CVD技术生长发光器件中的磷砷化镓、氮化镓外延层等，硅锗合金外延层及碳化硅外延层等也占有很重要的地位。;早期nMOS晶体管的各层膜;CVD技术的基本要求;CVD技术的特点;（3）采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。 （4）在CVD技术中也可以沉积生成晶体或细粉状物质，或者使沉积反应发生在气相中而不是在基底表面上，这样得到的无机合成物质可以是很细的粉末，甚至是纳米尺度的微粒称为纳米超细粉末。 （5）CVD工艺是在较低压力和温度下进行的，不仅用来增密炭基材料，还可增强材料断裂强度和抗震性能。;CVD技术的分类;6.2.1化学气相沉积法的原理; 然后导入反应气态源物质使之发生热分解；最后在衬底上沉积出所需的固态材料。 热分解发可应用于制备金属、半导体以及绝缘材料等。 最常见的热分解反应有四种。 （a）氢化物分解 （b）金属有机化合物的热分解 （c）氢化物和金属有机化合物体系的热分解 （d）其他气态络合物及复合物的热分解 ;(2)氧化还原反应沉积 氧化反应：一些元素的氢化物有机烷基化合物常常是气态的或者是易于挥发的液体或固体，便于使用在CVD技术中。如果同时通入氧气，在反应器中发生氧化反应时就沉积出相应于该元素的氧化物薄膜。例如： ;许多金属和半导体的卤化物是气体化合物或具有较高的蒸气压，很适合作为化学气相沉积的原料，要得到相应的该元素薄膜就常常需采用氢还原的方法。氢还原法是制取高纯度金属膜的好方法，工艺温度较低，操作简单，因此有很大的实用价值。例如：; (3) 化学合成反应沉积 化学合成反应沉积：由两种或两种以上的反应原料气在沉积反应器中相互作用合成得到所需要的无机薄膜或其它材料形式的方法。这种方法是化学气相沉积中使用最普遍的一种方法。 与热分解法比，化学合成反应沉积的应用更为广泛。因为可用于热分解沉积的化合物并不很多，而无机材料原则上都可以通过合适的反应合成得到。;(4)化学输运反应沉积 a，把所需要沉积的物质作为源物质，使之与适当的气体介质发生反应并形成一种气态化合物；b，这种气态化合物经化学迁移或物理载带而输运到与源区温度不同的沉积区；c，再发生逆向反应生成源物质而沉积出来。这样的沉积过程称为化学输运反应沉积。 其中的气体介质成为输运剂，所形成的气态化合物称为输运形式。 ;这类反应中有一些物质本身在高温下会汽化分解然后在沉积反应器稍冷的地方反应沉积生成薄膜、晶体或粉末等形式的产物。HgS就属于这一类，具体反应可以写成： 也有些原料物质本身不容易发生分解，而需添加另一种物质（称为输运剂）来促进输运中间气态产物的生成。 ;(5) 等离子体增强的反应沉积 在低真空条件下，利用直流电压（DC）、交流电压（AC）、射频（RF）、微波（MW）或电子回旋共振（ECR）等方法实现气体辉光放电在沉积反应器中产生等离子体。 由于等离子体中正离子、电子和中性反应分子相互碰撞，可以大大降低沉积温度，例如硅烷和氨气的反应在通常条件下，约在850℃左右反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应的条件下，只需在350℃左右就可以生成氮化硅。 ;一些常用的PECVD反应有：;(6)其他能源增强反应沉积 随着高新技术的发展，采用激光增强化学气相沉积也是常用的一种方法。例如： 通常这一反应发生在300℃左右的衬底表面。采用激光束平行于衬底表面，激光束与衬底表面距离约1mm，结果处于室温的衬底表面上就会沉积出一层光亮的钨膜。 其他各种能源例如利用火焰燃烧法，或热丝法都可以实现增强反应沉积的目的。;化学气相沉积是把含有构成薄膜元素的气态反应剂的蒸汽及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应，并把固体产物沉积到表面生成薄膜的过程。 不同物质状态的边界层对CVD沉积至关重要。 所谓边界层，就是流