微电子化学第二章课程方案.ppt

2.1 硅单晶的加工成型技术;2.1.1 单晶锭外形整理;2.1.2 切片;2.1.3 倒角;2.1.4 磨片;磨削液作用：;活性剂在研磨中的作用;高分子化合物吸附在质点表面，由于高分子长链有多种可能构型，当 2个带有高分子吸附层的质点接近时，彼此间的吸附只是受挤压，体积有所缩小而不能互相穿透，由于空间限制使高分子链采取的可能构型数减少，构型熵减少，会使体系的自由能增加而产生排斥作用(或称熵排斥作用)使质点稳定， 熵排斥能越高，质点越稳定。;当2个带有高分子吸附层的质点相互接近时，其吸附层可互相穿透而发生交联，在交联区内，高分子化合物的浓度增加，会产生渗透压从而引起混合过程体系的熵变和焓变，导致体系自由能的变化。;（2）表面活性剂在分散过程中的作用;（3）影响分散剂悬浮特性因素;（4）金属离子的去除;2.1.5 硅单晶研磨片的清洗;二、 关于环保问题;四、硅片清洗的概况及理论;2. 吸附杂质类型;3. 清洗原理;当达到一定浓度时，;（2） 表面活性剂的润湿作用;活性剂分子将颗粒托起，活性剂分子吸附于硅片表面。;硅片在切片和研磨等机械加工之后，其表面因加工应力形成一层损伤层及污染。;1. 酸性腐蚀;　　 Si+ 2HNO3 ——— SiO2 + HNO2　　;缓冲腐蚀速率;在HF/HNO3中化学性质稳定 在腐蚀过程中，不会与反应产物发生进一步反应 可溶解在HF/HNO3之中 可以湿化晶片表面 不会产生化学泡沫;如果硅片直径较大，就不容易保证液流速度在硅片表 面均匀分布，边界厚度也将不均匀，硅片平整度较难 保证。;2. 碱性腐蚀;2.2 超大规模集成电路硅衬底抛光 ; 整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。 ;区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造 成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。; 硅片的化学机械抛光是一个复杂的多项反应过程，粘在抛光机上盘的硅单晶片表面的硅原子与抛光机下盘上浸有抛光液的多孔抛光布吸附的抛光液中氧化剂、催化剂等反应物质，再设定温度下反应(温度由反应放出热???冷却水、磨擦热等因素决定)。上下盘高速反向运转，抛光液连续流动，硅片表面的反应产物被不断地剥离掉，新抛光液补充进来，反应产物随抛光液被带走。新裸露的硅原子又被氧化，反应产物再被剥离下来循环往复。其土要反应为碱性抛光液中OH-离子对Si表面的腐蚀反应:;磨料SiO2的作用;影响抛光速率及抛光表面质量的因素 ;随着pH值的增加硅的去除速率随之增加，;在水溶液中Na+对产物Si032-，作用力最弱，二胺弱碱与Si032-形成高分子聚合物作用力最强。;最佳pH值在10.23左右;2. 温度的影响 ;3. 压力的影响 ; SiO2的浓度与粒度的影响;7. 转盘的旋转速度 ;9. 抛光垫的影响;2.2.2 抛光液; 抛光液的基本要求是：流动性好、不易沉淀和结块、悬浮性能好、无毒、抛光速度快、硅片表面质量好及利于清洗。;A 碱的选择; 抛光液中的有机胺作为pH值调节剂，它本身具有择优性。; A) 能将pH值调到12，其次可以充当缓冲剂，当抛光液局部PH值发生变化时，可以迅速释放本身的轻基调整pH值，使抛光液保持稳定的PH值，从而使硅晶片表面处处去除速率均匀，能得到较好的平行度和完美得表面。;多羟基二胺水解产物与H2SiO3发生如下反应:;抛光液中，一部分多羟基二胺调整pH值，一部分可以和金属离子反应生成五元环结构，如下式:;B 活性剂的选择; 为了满足抛光硅片表面降低能量达到稳态的要求，同时又要以分子间范德华力的物理吸附状态相吸附