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The Technology Of Focused Ion Beam (FIB);集成电路制造中的三束技术;聚焦离子束vs.常规离子束;计算机控制系统;聚焦离子束系统;聚焦离子束系统;;聚焦离子束系统;;聚焦离子束系统;聚焦离子束系统;聚焦离子束系统;;;聚焦离子束与固体材料表面的相互作用;反冲注入;聚焦离子束与固体材料表面的相互作用;聚焦离子束与固体材料表面的相互作用;聚焦离子束与固体材料表面的相互作用;聚焦离子束与固体材料表面的相互作用;聚焦离子束与固体材料表面的相互作用;聚焦离子束与固体材料表面的相互作用;聚焦离子束与固体材料表面的相互作用;聚焦离子束与固体材料表面的相互作用;
聚焦离子束在计算机的控制下，是注入杂质以一定的空间分布注入晶片材料表面；然后退火，是注入原子与半导体晶格原子具有不同的价电位，电荷载流子就产生了。
FIB注入无需掩模，通过调整束驻留时间和束能量，就可以改变注入杂质浓度、注入深度和注入范围，从而得到横向掺杂梯度变化的器件，即能在同一晶片上得到不同性能的器件。
FIB离子注入的缺点：
1.生产率低，难于进入集成
电路生产。
2.注入离子源通常为合金源，
工作稳定性较差。
3.系统结构复杂，工艺和操
作较常规离子注入要难。;
表征溅射过程的重要参数：溅射产额、溅射粒子角度分布、溅射粒子能谱分布等。
影响产额的主要因素——线型碰撞级联模型：
入射离子的能量是通过级联碰撞传递给靶材原子的，即入射离子与靶材原子发生初级碰撞，撞出反冲原子，反冲原子灰继续与靶材中的静态原子再碰撞，再产生反冲原子。
产额主要影响因素：
1.入射离子能量
2.离子束入射角
3.入射离子和靶材料的元素
特性
4.离子束加工参数
5.所加工图形尺寸和分布;
在FIB入射区通入的气体叫诱导气体，根据要求沉积的材料的不同应选择不同的诱导气体。通入的诱导气体通常以单分子层的形式吸附在固体材料表面，入射离子束的轰击致使吸附气体分子分解，将金属材料留在固体表面。入射离子束此时也会溅射新沉积的金属材料，但如果沉积速度高于溅射速度，净沉积就会产生。
FIB诱导沉积产额：
1.热针模型：认为离子束入射点在???间存在几千度高温，热量从入射点以半球
形或圆柱状向空间扩散，高
温使吸附的分子分解。
2.二元碰撞模型：利用电脑
程序模拟级联碰撞过程，测
算溅射原子总量和表面层被
激发原子按能量不同的分布
然后分析诱导分子分解概率。;
离子束具有能使某些高分子有机物发生交联或降解反应的功能，可用于抗蚀剂曝光。离子束曝光有三种方法：扫描离子束曝光、掩模离子束曝光和投影离子束曝光。
离子束曝光的优点：
1.高图形分辨率
2.曝光速度快
3.无临近效应
4.良好的曝光宽容度
5.可实现无抗蚀剂直接曝光
离子束曝光的缺点：
1.对衬底材料有损伤
2.曝光速度有限制;
SIM工作原理：离子光学柱将离子束聚焦到样品表面，偏转系统使离子束在样品表面做光栅式扫描。电子信号检测器接收离子束扫描过程中与样品表面作用产生的二次电子或二次离子信号，调制屏幕亮度，反应出样品形貌。（对样品有损伤）
FIB/SIMS原理：入射离子束轰击样品表面会产生二次离子，让入射离子束逐点逐层扫描，通过对二次电子的质谱分析就能够获得式样的二维或三维化学成分图。
FIB/SIMS优点：1.纵横
分辨率高 2.检测范围宽 3.
信噪比高 4.灵敏度高 5.可
区分同位素
缺点：1.难以量化测量 2.
???品要求苛刻 3.破坏样品
4.需要标样标定 5.入射离子
对测量有干扰;Thanks for your attention
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