蚀刻因子、蚀刻函数.docVIP

蝕刻因子、蝕刻函數 蝕銅除了要作正面向下的溶蝕外,蝕液也會攻擊線路兩側無保護的銅,稱之為側蝕(Undercut),因而造成如香菇般的蝕刻品質問題,Etch Factor即為蝕刻品質的一種指標。Etch Factor一詞在美國(以IPC為主)的說法與歐洲的解釋恰好相反。美國人的說法是”正蝕深度與側蝕凹鍍之比值”,故知就美國說法是”蝕刻因子”越大品質越好;歐洲則恰好相反,其因子卻是愈小愈好,很容易弄錯。下圖為阻劑後直接蝕銅結果的明確比較圖。不過多年以來,IPC在電路板學術活動及出版物上的成就。早已在全世界業界穩占首要地位,故其闡述之定義堪稱已成標準本,無人能所取代。 氯 化 銅 蝕 刻 之 監 控 前言: 近年來印刷電路板製程﹐在內層板或單面板的直接蝕刻上﹐使用氯化銅藥液者﹐愈來愈多。但也因缺乏活用氯化銅的基本知識﹐而拒此法於千里之外者﹐亦常有之。以下簡單整理有關綠化銅蝕刻的反應及其控制管理的情形﹐以供業界參考。 蝕刻之計算 ˙蝕銅反應(理論值): Cu(銅) + CuCl2(氯化銅)→ 2CuCl(氯化亞銅)……(1) 二價銅 一價銅 ˙再生反應: 2CuCl + 2HcL + H2O2→ 2CuCl + 2H2O……(2) ˙由上述二式中氯化銅的再生循環﹐以說明再生及添加用量如下: 銅厚35μm(1 oz)之單面基板上﹐其平均銅重量約312.2g/m2﹐若假設蝕銅率為60%左右時﹐由(1)式中可得到所生成方程式上〝兩各單位〞的氯化亞銅﹐其重量應為: (312.2g/m2 x 0.6 ÷63.5) x 2 x 98.9 = 583 g 再由(1)式中知其CuCl2應有的重量為: [(583 ÷2) + (583 ÷2 – 312 x 0.6)] = 396g 由(2)式中可知﹐進行再生反應一必須使用之藥液量為: 鹽酸 - - [583 ÷(2 x 98.9)] x 2 x 36.5 = 215g 雙氧水 - - [583÷(2 x 98.9)] x 1 x 34 = 100g 水 - - [583 ÷(2 x 98.9)] x 2 x 18.2 = 106g CuCl2 - - [583 ÷(2 x 98.9)] x 2 x 134 = 792g 另純鹽酸215g換算成35%濃度的商品鹽酸時約為521cc。 純雙氧水100 g換算成35%濃度的商品雙氧水時約為253 cc。 但是﹐由(1)式蝕銅後所產生CuCl中的銅為一價銅﹐是一種水溶性不佳的物質﹐附在銅面上時﹐會造成蝕銅能力之劣化﹐因而使得蝕銅速度減慢。而一般在蝕刻槽內的化學反應多為連續性﹐且相當複雜﹐線從實際的反應型態上試???討論如下。 Cu金屬銅 在溶液中(二價銅)和金屬 反應而產生一價銅因一價銅不溶解於水﹐致使(3)之蝕銅化學反應速度溶液中﹐可再溶解為H2Cu2Cl4(或H2CuCl2)2。 又因所加入的雙氧水可提供1個氧﹐使H2Cu2Cl4中的氫轉變為水﹐故再生成CuCl2 ↓ ←CuCl﹐ ↓ 2CuCl ↓ ←2HCl ↓ H2Cu2Cl4 ↓ (5) ←H2O2 ↓ 2CuCl2+H2O 上述各反應將在蝕刻槽內持續的進行﹐而各種副反應亦會同時產生。在(4) H2Cu2Cl4反應中﹐當雙氧水適量時﹐將與鹽酸反應而產生氯氣(Cl2)﹐造成鹽酸濃度的降低。不但如此﹐也還會另外引起蝕銅機的損傷﹐板子上耐酸油墨的溶解﹐以及蝕銅效率的降低等煩惱。更有甚者﹐還會導致銅箔接著材料的溶解﹐或已溶解油墨在槽液中的再聚結成塊體﹐進而阻塞噴嘴或幫浦的濾網等許多麻煩。 從上述討論可以明白知道﹐一價銅有68%(396/583)會氧化成為二價銅﹐如何使剩餘的一價銅全數排出才是最為重要的事。但當溶液無法做到此一點時﹐則如何適量添加鹽酸和雙氧水使其變為有用的二價銅﹐則又是另一件重要的事。但是原先業界所用之各種再生係統﹐例如ORP、光量計、PH計等檢測CuCl和CuCl2的比率的方式﹐因受相互濃度的影響﹐致無法得到最適當數據﹐常使得此一蝕刻的控制工作不盡完美﹐而有待改進。 日本AQUA 株式會社﹐已新開發出一種AQUA CONTROLLER AFC-601再生系統﹐對溶液中各成份之濃度﹐可分別做各自的獨立分析﹐個別添加以及再生﹐將能克服理論的困難和改進機能的效用 ﹐而能達到降低成本及加強管理的目標﹐使此種直接蝕刻更具細線化、自動化、及高速化的效果。 槽液的管理 其原理是利用改良型極化計 ﹐以定電位之電解法測定。從蝕刻液0.58M以上到飽和為此止﹐保持一定的電解電位的定電位法。槽液的取樣及分析的