集成电路版图设计基础第2章：基本IC单元版图设计探析.ppt

集成电路版图设计基础 basics of IC layout design;第二章 基本IC单元版图设计;电阻材料： 常用的电阻材料是多晶硅。 较厚的多晶硅薄层有较低的电阻值（有较多的空间让电流流过，传导电流的能力较强），较薄的多晶硅薄层有较大的电阻值。 其他因素，如材料的类型、长度、宽度等也将改变电阻值。 对于一个给定的集成电路工艺，可以认为薄膜厚度是常数，它是我们不能改变的参数之一。对于一个给定的材料，我们能够改变的只有长度和宽度。;方块/薄层电阻： 每方欧姆是IC中电阻的基本单位。 每方欧姆数值也被称为材料的薄层电阻。材料可以是poly，也可以是金属，或者任何其他采用的材料。 可以根据任意矩形计算方数。 “方数=L/W”方数并不一定是整数，可以含有小数，如4.28方。 例如，设材料是“80x10”大小（任何可能单位），则80/10=8方。;方块/薄层电阻： - 设计/工艺/规则手册： 薄层电阻（率）ρ - 对于薄层电阻，同一种材料层，不同制造商的数值会有所不同，其中 一个可能的原因是厚度的不同。 - 用“四探针测试”法探测每方欧姆数值（R=V/I）。 - ic中典型的电阻值： poly栅： 2~3欧姆/方 metal层： 20~100m欧姆/方 diffusion： 2~200欧姆/方 - 工艺中的任何材料都可以做电阻。 常用的材料有poly和diffusion。 常用电阻器阻值范围： 10~50 欧姆 100~2k 欧姆 2k~100k 欧姆 - 电阻值计算公式： R = （L/W）* ρ ;多晶硅电阻公式：基本电阻器版图 - 以硅片作为衬底材料，在衬底上淀积一层多晶硅，再在多晶硅层上覆 盖一层氧化层，形成隔离的绝缘层，然后在氧化层上刻蚀出用于连接 的接触孔。 一般接触孔位于多晶硅的两头。 体区电阻公式： rb = （Lb/Wb）* ρb ;多晶硅电阻公式：考虑接触电阻rc - 由于有接触电阻的存在，所以 R = rb + 2rc （rc为两个接触端的接触电阻） - 接触区被认为是有固定长度的。如果接触区的宽度增大，接触电阻将 变小；如果接触区的宽度减小，接触电阻将变大。 - 总接触电阻 Rcontact = rc = Rc/Wc = Ω*um/um （Rc是由接触所决定的电阻因子，单位“Ω*um”；Wc为接触区宽度） - 接触区的宽度可能并不一定和电阻器的宽度相同，它取决于工艺的设 计规则，可能会要求接触区宽度必须小于电阻器宽度。;多晶硅电阻公式：改变体材料 - 原因：poly栅电阻大约只有2~3欧姆/方，有时我们要求电阻的范围 更大一些。改变体材料能够有效提高电阻率，有助于得到较高的、更 有用的电阻率。 - 改变电阻率的方法： 可以淀积另一层具有不同电阻特性的多晶硅。 可以通过改变已淀积在芯片上的多晶硅材料层的结构来改变电阻率。 - 具体制作方法： 在所用的多晶硅材料的中部开一个窗口，并注入另外的杂质材料，阻 碍电子的流动，来提高电阻率。另一种方法是将中间的多晶硅刻蚀掉 一部分使其变薄。 这些被改变的材料块为电阻的“体”。通常会有一个设计规则用以说明 体区边界与接触区的最小距离，这个间隔上原始的多晶硅被称为电阻 器的“头”。总电阻： 　　R = rb + 2rh + 2rc = (Lb/Wb)*ρb + 2 (Lh/Wh)*ρh +2 Rc/Wc 　　　;多晶硅电阻公式：改变体材料 ;实际电阻分析： - 在CAD画图中做出来的电阻器经常是明显地小于或者大于你所画的， 被称为δ项，需要在公式里对该项进行补偿。 - 接触区误差： 接触孔刻蚀的时候，得到的实际