计控_基于PID电加热炉温度控制系统设计概念.doc

计算机控制技术设计  PAGE 12 华北理工大学 计算机控制技术设计 PID电加热炉温度控制系统设计 学校：华北理工大学 学院：电气工程学院 专业：自动化 班级：1 学号：201504 姓名： 完成日期：2015.11.26 PID电加热炉温度控制系统设计 PID电加热炉温度控制系统设计是针对一个温度区进行的温度控制，要求控制温度范围50~350℃，保温阶段温度控制精度为正负1度。选择合适的传感器，计算机输出信号经转换后通过双向可控硅控制器控制加热电阻两端的电压。其对象问温控数学模型为： 系统的控制算法选用PID控制 系统硬件的设计 PID电加热炉温度控制系统的单片机炉温控制系统结构主要由单片机控制器、可控硅输出部分、热电偶传感器、温度变送器以及被控对象组成。 系统硬件结构框图如下： LED 报警 通信接口 键盘 控制器 AT8 9 S 5 2 测量变送 A/D ADC0809 温度 温度检测PT100 加热电阻 驱动执行机构 D/A 系统硬件结构框图 系统采样测量部分 在检测装置中，温度检测用WZP-231铂热电阻（Pt100），采用三线制接法，采样电路为桥式测量电路，其输入量程为50~350°C，经测量电路采样后输出2~5V电压，再经模数转换芯片ADC0809进行转换，变为数字量后送入单片机进行分析处理。 驱动执行部分 硬件输出通道主要包括加热电阻的控制环节，而此控制环节的核心是双向可控硅，但电路的关键是设计双向可控硅的驱动电路。双向可控硅的通断直接决定加热电阻的工作与不工作，本部分用带过零触发的光耦MOC3061来驱动。 1）光耦驱动电路 在本系统设计中采用了带过零检测的光电隔离器MOC3061，用来驱动双向可控硅并隔离控制回路和主回路。MOC3061是一片把过零检测和光耦双向可控硅集成在一起的芯片。其输出端的额定电压是400V，最大重复浪涌电流为1.2A，最大电压上升率dv/dt为1000v/us,输入输出隔离电压为7500V，输入控制电流为15mA。 在驱动执行电路中，当单片机的P2.0、P2.1、P2.2发出逻辑数字量为高电平时，经过三极管放大后驱动光耦合器的放光二极管，MOC3061的输入端导通，有大约15mA的电流输入。当MOC306的输出端6脚和4脚尖电压稍稍过零时，光耦内部双向可控硅即可导通，提供一个触发信号给外部晶闸管使其导通；当P2.0、P2.1、P2.2为低电平时，MOC3061截止，双向可控硅始终处于截止状态。 2)驱动电路有关元件的选择 R25，C10组成吸收电路，并接在双向可控硅的两极之间。吸收回路组成缓冲器。有了吸收回路，可控硅通断过程中电源电压的变化率受到R25，C10的限制。R25可以抑制双向可控硅通断时产生的浪涌电流。R25和C10根据经验公式选，一般C10取0.01~1.0uF，R25取几欧到几十欧，本电路中R25取39欧，C10取0.01 uF。 R27为限流电阻，用来限制MOC3061的输出驱动电流，其数值为电源电压峰值除以双向可控硅的允许重复电流。在本电路中R27取300欧。 R26：由于MOC3061在输出关断状态下也有小于或等于500mA的输出电流，所以加入R26分流消除这个电流对双向可控硅的影响，以防止双向可控硅误触发，提高了系统的可靠性。 3双向可控硅电路 (1)双向可控硅 这种可控硅具有双向导通功能，在交流电的正负半周都可以导通。其英文名TRIAC即三级交流开关的意思，并把它的两极称为MT1和MT2，双向可控硅的通断情况由控制极栅极（G）决定，当栅极无信号时MT1和MT2成高阻态，管截止；而当MT1与MT2之间加一个阈值电压（一般大于1.5V）的电压时，就可以利用控制极栅极电压来使可控硅导通。但需要注意的是，当双向可控硅接感性负载时，电流和电压之间有一定的相位差。在电流为零时，反向电压可能不为零，且超过转换电压，使管子反向导通，故要管子能承受这种反向电压，并在回路中加入RC网络加以吸收。 (2)触发方式 控制双向可控硅从高阻态（阻断区）转换到低阻态（导通区）可以用不同的方式实现。相应的分为四种方式： （1）MT1相对于MT2为正，控制脉冲电压Ug相对于MT1为正 （2）MT1相对于MT2为负，控制脉冲电压Ug相对于MT1为负 （3）MT1相对于MT2为正，控制脉冲电压Ug相对于MT1为负 （4）MT1相对于MT2为负，控制脉冲电压Ug相对于MT1为正 双向可控硅通常工作在控制方式（1）和控制方式（2）。在这两种控制方式下，控制灵敏度特别高。另外两种控制方式